[实用新型]一种爬升时间快的低温汞齐有效
申请号: | 201420654664.5 | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN204242994U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 宋维申;石广宏;周义科;田启林;朱加才 | 申请(专利权)人: | 扬州市邗江圣珠光电有限公司 |
主分类号: | H01J61/28 | 分类号: | H01J61/28;H01J61/20 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 邱兴天 |
地址: | 225000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 爬升 时间 低温 | ||
1.一种爬升时间快的低温汞齐,包括内核(1),其特征在于:在所述的内核(1)的表面上覆盖有多个纯汞层(3)和多个非汞金属层(4);所述的纯汞层(3)和非汞金属层(4)由内向外依次交替设置,最内层为纯汞层(3),最外层为非汞金属层(4)。
2.根据权利要求1所述的爬升时间快的低温汞齐,其特征在于:所述的内核(1)为惰性球体。
3.根据权利要求2所述的爬升时间快的低温汞齐,其特征在于:所述的惰性球体选自铁球、铁合金球,锌球、锌合金球、玻璃球、陶瓷球、塑料球。
4.根据权利要求1所述的爬升时间快的低温汞齐,其特征在于:所述的纯汞层(3)和非汞金属层(4)均为3-10层,且纯汞层(3)与非汞金属层(4)层数相同。
5.根据权利要求4所述的爬升时间快的低温汞齐,其特征在于:所述的非汞金属层(4)为纯金属层,纯金属选自Sn、Sb、Zn、Bi、Ga、In、Ag;3-10层非汞金属层(4)为相同或不同金属层。
6.根据权利要求1所述的爬升时间快的低温汞齐,其特征在于:所述的内核(1)的直径为0.9~2mm。
7.根据权利要求1所述的爬升时间快的低温汞齐,其特征在于:所述的纯汞层(3)厚度为0.005-0.1mm。
8.根据权利要求1所述的爬升时间快的低温汞齐,其特征在于:所述的非汞金属层(4)为0.01-0.1mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州市邗江圣珠光电有限公司,未经扬州市邗江圣珠光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420654664.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种聚焦圆环及刻蚀反应腔
- 下一篇:陶瓷金卤灯夹封排气一体机夹封火头