[实用新型]注入增强型绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括p型集电极（101），所述p型集电极（101）上设置有载流子扩散层（103），在所述载流子扩散层（103）上纵向设置有多根沟槽（202），所述载流子扩散层（103）上横向设置有多排p型活性区（1041）和p型非活性区（1042），p型活性区（1041）和p型非活性区（1042）构成p型基区，呈条纹状；每排p型活性区（1041）包括多个独立的p型活性区（1041），多个p型活性区（1041）之间被所述沟槽（202）隔开，每排p型非活性区（1042）包括多个独立的p型非活性区（1042），多个p型非活性区（1042）之间被所述沟槽（202）隔开；所述每个p型活性区（1041）上设置有n型发射极（105），所述n型发射极（105）呈H型。

2.根据权利要求1所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述每排p型活性区（1041）和p型非活性区（1042）间隔排布；各排p型活性区（1041）之间至少间隔了一排p型非活性区（1042）。

3.根据权利要求1或2所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述n型发射极（105）为重掺n型层，所述载流子扩散层（103）为轻掺n型层。

4.根据权利要求3所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述p型集电极（101）和载流子扩散层（103）之间设置有场截止层（102），所述场截止层为重掺n型层。

5.根据权利要求4所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述每排p型活性区（1041）和p型非活性区（1042）的宽度为2um-20um，深度为2um-8um。

6.根据权利要求5所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述沟槽（202）长度方向与多排p型活性区（1041）和p型非活性区（1042）的长度方向垂直。

7.根据权利要求6所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述沟槽（202）包括有呈U型的薄层绝缘层（201），所述薄层绝缘层（201）内为n型填充多晶硅。

8.根据权利要求7所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述沟槽（202）的宽度为0.5um-2um，深度为2um-8um，相邻沟槽（202）之间的间距为2um-8um，所述H型的发射极两侧边依靠有所述薄层绝缘层（201），所述两侧边的宽度分别为0.5um-3um，所述H型两侧边之间的宽度为0.5um-8um，所述H型的深度为0.1um-1um。

9.根据权利要求8所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述p型活性区（1041）的深度为2um-8um；所述p型非活性区（1042）的深度为2um-8um；所述p型集电极（101）的深度为0.1um-2um；所述场截止层（102）深度为2um-20um。

10.根据权利要求9所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述p型活性区（1041）内设置有p型发射极（106）；所述p型发射极（106）为重掺p型层。