[实用新型]基于硅加热器的MEMS甲烷传感器有效
申请号: | 201420646931.4 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN204154677U | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 马洪宇 | 申请(专利权)人: | 中国矿业大学 |
主分类号: | G01N27/14 | 分类号: | G01N27/14 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 杨晓玲 |
地址: | 221116 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 加热器 mems 甲烷 传感器 | ||
1.一种基于硅加热器的MEMS甲烷传感器,其特征在于:它包括P型硅衬底(01),P型硅衬底(01)上设有N型硅(02);以所述P型硅衬底(01)上的N型硅(02)加工制备硅加热元件(101);所述硅加热元件(101)包括两个固定端(102)、硅加热器(1011)、两个硅悬臂(1012);所述单个的硅悬臂(1012)长度至少300um;单个所述的硅悬臂(1012)的一端与硅加热器(1011)相连,另一端与一个固定端(102)相连,为硅加热器(1011)提供电连接;所述两个硅悬臂(1012)平行并排设置、与硅加热器(1011)整体构成U形悬臂结构,将硅加热器(1011)悬于空气中;所述硅加热元件(101)的硅加热器(1011)及硅悬臂(1012)的外表面设有钝化保护层(22); 所述固定端(102)设在P型硅衬底(01)上,包括N型硅(02)、N型硅(02)上的氧化硅层(20)及用作电引出焊盘金属Pad(21),所述电引出焊盘金属Pad(21)设在N型硅(02)之上的氧化硅层(20)上,且电引出焊盘金属Pad(21)通过氧化硅层(20)的窗口与其下面的N型硅(02)直接接触构成欧姆接触,电引出焊盘金属Pad(21)与其下的N型硅层(02)接触部分没有氧化硅层(20);
在所述硅加热元件(101)的固定端(102)周围设置有去除掉N型硅的隔离沟槽(103),所述隔离沟槽(103)使所述硅加热元件(101)及其固定端(102)的N型硅与P型硅衬底(01)上的其余N型硅之间为高阻状态,尤其是使设在P型硅衬底(01)上的硅加热元件(101)的两个固定端(102)之间除了由硅悬臂(1012)和硅加热器(1011)构成的电通路之外无其它电路通路。
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