[实用新型]半导体组件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件制造技术领域，更具体地，涉及一种半导体组件。

背景技术

目前半导体芯片多采用单面焊接直接焊接到陶瓷基板上，另一面多采用引线键合引出到电极端子，构成单面散热的功率模块。单面半导体功率模块在工作过程中，半导体所产生的热量通过陶瓷基板、铜基板传递至散热器。随着半导体技术的发展要求，芯片的功率密度越来越大，功率模块的封装尺寸越来越小，半导体芯片产生的热量若不能及时地散出，将会影响功率模块的性能，甚至烧毁芯片。单面半导体功率模块内部引线键合点与芯片接触面积较少，只有极少的一部分热量可以通过键合点散出，而且键合点、键合引线的不规则性使得模块的这一面无法连接散热器进行散热，而且键合点一直是功率模块可靠性的薄弱部分，长时间的工作后将增加模块失效的风险。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一。

为此，本实用新型提出一种半导体组件，所述半导体组件的散热效率高。

根据本实用新型的半导体组件，包括：第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板沿上下方向间隔开设置，所述第一基板和所述第二基板上分别设有第一主电极和第二主电极；半导体芯片，所述半导体芯片设在所述第一基板和/或所述第二基板上且位于所述第一基板和所述第二基板之间；金属块，所述金属块设在所述半导体芯片上，所述金属块的一侧与所述半导体芯片相连，另一侧与所述第一基板或所述第二基板相连；多个信号电极，多个所述信号电极分别设在所述第一基板和/或所述第二基板上，多个所述信号电极中的至少一个与所述半导体芯片电连接，所述第一主电极与所述第一基板之间、所述第二主电极与所述第二基板之间、所述半导体芯片与所述第一基板或所述第二基板之间、所述金属块与所述半导体芯片之间、所述金属块与所述第一基板或所述第二基板之间、所述信号电极与所述第一基板和/或所述第二基板之间分别通过金属连接层相连。

根据本实用新型的半导体组件，通过在半导体芯片的上下两侧分别设置第一基板和第二基板，半导体芯片产生的热量可以通过第一基板和第二基板同时散热，大大提高了半导体组件的散热效率，实现了降低半导体组件温升、半导体芯片结温的目的。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本实用新型一个实施例的半导体组件的剖面图；

图2是图1中的半导体组件的结构示意图；

图3是图1中的半导体组件的第一基板的结构示意图；

图4是图1中的半导体组件的第二基板的结构示意图；

图5是图1中的半导体组件的半导体芯片和热敏电阻的电路图；

图6是根据本实用新型另一个实施例的半导体组件的剖面图；

图7是图6中的半导体组件的结构示意图；

图8是图6中的半导体组件的第一基板的结构示意图；

图9是图6中的半导体组件的第二基板的结构示意图；

图10是图6中半导体组件的半导体芯片和热敏电阻的电路图。

附图标记：

半导体组件100a(100b)；

第一基板11；第二基板12；第一主电极21a(21b)；第二主电极22a(22b)；第三主电极23b；半导体芯片30；金属块40；避让槽41；信号电极50a(50b)；金属连接层60；键合引线70；树脂80；热敏电阻90。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。