[实用新型]一种用于半导体反应腔室的清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制造设备的清洗装置，特别是涉及一种用于半导体反应腔室的清洗装置。

背景技术

在半导体制造的过程中，反应腔室是半导体制造的必要设备，但是，由于制备过程中，反应腔室内会产生大量的残留物质，例如，在实际的生产过程中，某些反应腔室的内壁会残留酸性物质，这些残留的酸性物质可能会在排气等过程中滴落在产品上，极易在产品表面产生缺陷，导致产品良率降低。

因此，在等离子体反应腔体内工艺完一片晶片后，手臂需要将已经工艺好的晶片传出等离子体反应腔体，然后进行等离子体反应腔体的清洗。

由于传统的清洗方式，是在工艺完一片晶片后将等离子体反应腔体打开，并采用人工方式清洗，例如使用浸润有水的无尘布对所述等离子体反应腔体进行擦拭。该方法清洗过程复杂用时久，而且很难将等离子体反应腔体内壁上的薄膜清洗干净。

鉴于以上原因，提供一种可以有效清洗半导体反应腔室的清洗装置实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于半导体反应腔室的清洗装置，用于解决现有技术中反应腔室难以清洗的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于半导体反应腔室的清洗装置，所述半导体反应腔室底部设置有旋转装置，所述清洗装置包括：

一圆形容器，包括一底部、一侧壁及一顶部，所述顶部设置有开孔，所述侧壁设置有若干个小孔；

一底座，所述底座的上部与所述圆形容器的底部固定连接，所述底座的下部设置有连接孔，用于与所述旋转装置的轴承固定连接。

作为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的一种优选方案，所述圆形容器的材质为有机玻璃。

作为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的一种优选方案，所述圆形容器的直径为200～400mm，高度为30～100mm，顶部开孔的直径为100～300mm。

作为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的一种优选方案，所述底座的材质为聚四氟乙烯。

作为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的一种优选方案，所述底座包括一底座上层及一底座下层，所述底座上层固定连接于所述圆形容器的底部，所述底座下层与所述底座上层固定连接，并设置有连接孔。

进一步地，所述底座上层及底座下层的形状为圆柱形，所述底座上层的直径为60～100mm，高度为20～40mm，所述底座下层的直径为40～60mm，高度为50～100mm。

作为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的一种优选方案，所述小孔的数量为4～12个，均匀分布于所述圆形容器的侧壁。

作为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的一种优选方案，所述小孔的直径为0.5～1.5mm。

如上所述，本实用新型提供一种用于半导体反应腔室的清洗装置，所述半导体反应腔室底部设置有旋转装置，所述清洗装置包括：一圆形容器，包括一底部、一侧壁及一顶部，所述顶部设置有开孔，所述侧壁设置有若干个小孔；一底座，所述底座的上部与所述圆形容器的底部固定连接，所述底座的下部设置有连接孔，用于与所述旋转装置的轴承固定连接。本实用新型通过离心力,清洗装置内的去离子水会从装置边缘的小孔向四周甩出，喷洒到反应腔室的内壁上，由此起到清洁反应腔室内壁的效果，大幅降低反应腔室内壁残留的酸性物质，有效的提高产品的良率。

附图说明

图1显示为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的主视结构示意图。

图2显示为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的俯视结构示意图。

元件标号说明

10 圆形容器

20 开孔

30 底座上层

40 底座下层

50 连接孔

60 小孔

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1～图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。