[实用新型]低副瓣超材料平板天线有效
申请号: | 201420645416.4 | 申请日: | 2014-10-30 |
公开(公告)号: | CN204243176U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 深圳光启高等理工研究院 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q9/04 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低副瓣超 材料 平板 天线 | ||
1.一种低副瓣超材料平板天线,其特征在于,包括辐射体及设置于电磁波辐射方向的超材料平板,所述超材料平板包括介质板及在其表面阵列排布且使电磁波的透过率随入射角的增大而减小的导电几何结构,所述导电几何结构为由金属或非金属的导电材料构成的微结构,所述微结构包括两个相互平行的第一分支以及连接所述第一分支的第二分支。
2.如权利要求1所述的低副瓣超材料平板天线,其特征在于,所述第二分支垂直连接于所述第一分支的中点并呈直线型。
3.如权利要求1或2所述的低副瓣超材料平板天线,其特征在于,所述微结构还包括两对相互平行的第五分支,各所述第一分支垂直连接于各所述第五分支的中点。
4.如权利要求1或2所述的低副瓣超材料平板天线,其特征在于,所述微结构还包括多对相互平行的第六分支以及连接所述第六分支的第七分支,所述第一分支垂直连接各所述第七分支的中点。
5.如权利要求1所述的低副瓣超材料平板天线,其特征在于,相邻微结构之间的间距相等。
6.如权利要求5所述的低副瓣超材料平板天线,其特征在于,相邻微结构的间距为1/10~1/2波长。
7.如权利要求1所述的低副瓣超材料平板天线,其特征在于,各所述微结构的形状相同且大小相等。
8.如权利要求1所述的低副瓣超材料平板天线,其特征在于,所述辐射体为阵列结构辐射体。
9.如权利要求1所述的低副瓣超材料平板天线,其特征在于,所述微结构设置于所述介质板之面向所述辐射体的表面。
10.如权利要求1所述的低副瓣超材料平板天线,其特征在于,所述微结构设置于所述介质板的两相对表面。
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