[实用新型]一种多层膜太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型太阳能电池技术领域，涉及一种多层膜太阳能电池。

背景技术

常见的晶体硅太阳能电池是由背面电极、半导体材料构成的P型层、N型层、P-N结、减反射薄膜、正面栅电极等部分组成。当太阳光照射到太阳能电池表面时，减反射薄膜和绒面结构可有效减少电池表面的光反射损失。太阳能电池中的半导体结构吸收太阳能后。激发产生电子、空穴对，电子、空穴对被半导体内部P-N结自建电场分开，电子流进入N区，空穴流入P区，形成光生电场，如果将晶体硅太能电池的正、负极与外部电路连接，外部电路中就有光生电流通过。

太阳能电池的制作过程包括制绒、扩散、刻蚀、镀膜、丝网印刷和IV效率分选。镀膜的作用是在晶圆(wafer)表面镀上一层减反射膜，可以有效降低光的反射，增加电池片对太阳光的吸收；另外薄膜中的氢(H)能够进入硅晶体中，钝化硅中的缺陷，降低表面态密度，抑制电池表面复合，增加少子寿命，从而提高太阳能电池的短路电流Isc和开路电压Voc。如图1所示，为一种常规太阳能电池的膜层结构，包括P衬底11、N掺杂层12，减反射膜13，上电极14及下电极15，其中，其减反射膜13由一层或双层氮化硅薄膜131，132组成。

目前，发展高效电池技术是提高太阳能电池效率的关键。要提高太阳能电池效率，一种主要方式是尽量降低太阳光的反射，增强太阳光的吸收。因此，如何进一步提高太阳能电池的光吸收能力成为本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种多层膜太阳能电池，用于解决现有技术中太阳能电池效率不高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种多层膜太阳能电池，包括：

第一类型半导体衬底；

第二类型掺杂层，形成于所述第一类型半导体衬底表面；

减反射膜，形成于所述第二类型掺杂层表面；

上电极，形成于所述减反射膜表面；

下电极，形成于所述第一类型半导体衬底背面；

其中，所述减反射膜由氮化硅复合层及形成于所述氮化硅复合层上的二氧化硅薄膜叠加而成，所述氮化硅复合层由至少三层氮化硅薄膜叠加而成。

可选地，所述氮化硅复合层包括3～10层氮化硅薄膜。

可选地，所述氮化硅复合层中，各氮化硅薄膜的折射率自下而上依次减小。

可选地，所述氮化硅薄膜的折射率范围是1.4～2.25。

可选地，所述氮化硅复合层中，底层的氮化硅薄膜厚度小于顶层的氮化硅薄膜厚度。

可选地，所述氮化硅薄膜的厚度范围是10～50nm。

可选地，所述二氧化硅薄膜的厚度范围是5～10nm。

可选地，所述二氧化硅薄膜的折射率范围为1.4～1.5。

可选地，所述下电极的材料为铝，所述上电极的材料为银。

如上所述，本实用新型的多层膜太阳能电池，具有以下有益效果：本实用新型的多层膜太阳能电池中，减反射膜由氮化硅复合层及形成于所述氮化硅复合层上的二氧化硅薄膜叠加而成，其中，所述氮化硅复合层由至少三层氮化硅薄膜叠加而成，且各氮化硅薄膜的折射率自下而上依次减小。由于所述氮化硅复合层由多层氮化硅薄膜叠加而成，使得光在电池表面经过多次折射，从而增加太阳能电池对光的吸收，同时氮化硅薄膜对硅材料中的电活性杂质和缺陷具有较好的场效应钝化效果，有利于进一步提高光吸收，而二氧化硅薄膜又可以降低多层氮化硅薄膜导致的界面缺陷密度增加，二者结合作为减反射膜，可以有效提高硅太阳能电池的效率。

附图说明

图1显示为现有技术中一种常规太阳能电池的膜层结构示意图。

图2显示为本实用新型的多层膜太阳能电池的膜层结构示意图。

元件标号说明

11                                 P衬底

12                                 N掺杂层

13，23                             减反射膜

131，132，2311，2312，2313         氮化硅薄膜

14，24                             上电极

15，25                             下电极

21                                 第一类型半导体衬底