[实用新型]一种新型复合透明电极的LED芯片有效
| 申请号： | 201420638231.0 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN204118109U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李方芳;郝锐;王波;罗长得;易翰翔;刘洋;许德裕 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 复合 透明 电极 led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型复合透明电极的LED芯片，包括依次生长在衬底上的氮化镓缓冲层、N-GaN层、量子阱层、P-GaN层和复合透明电极层，其特征在于：所述的N-GaN层上制作有n型电极，复合透明电极层上制作有p型电极，所述n型电极、p型电极外侧的芯片表面沉积有SiO2保护层，所述的复合透明电极层由石墨烯层状薄膜和生长在石墨烯层状薄膜上的ZnO透明导电薄膜复合而成。
2.根据权利要求1所述的新型复合透明电极的LED芯片，其特征在于：所述的SiO2保护层包覆在n型电极、p型电极外侧，且SiO2保护层经蚀刻暴露出n型电极和p型电极。
3.根据权利要求1所述的新型复合透明电极的LED芯片，其特征在于：所述的石墨烯层状薄膜厚度为2～200nm，ZnO透明导电薄膜厚度为100-300nm。
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