[实用新型]一种电力操作电源的驱动电路

说明书

技术领域

本发明创造涉及开关管的驱动技术领域，具体涉及一种MOSFET驱动电路。 

背景技术

电力操作电源中作为功率开关的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化层半导体场效晶体管）的驱动电路有很多种，如美国UNITRODE公司生产的UC3875、UC3879等系列。但这些驱动电路大多用于中小功率的场合下，对于功率较大的电力操作电源中的MOSFET，这些驱动电路的驱动能力就不够了。 

发明内容

针对现有技术的上述问题，本发明创造提供一种电力操作电源的驱动电路，其驱动能力较强，可驱动功率较大的电力操作电源中的MOSFET，且结构简单，能降低成本。 

为实现上述目的，本发明创造提出以下技术方案。 

一种电力操作电源的驱动电路，用于驱动电力操作电源的MOSFET，包括变压器T1和两个二级放大单元，所述两个二级放大单元的输入端分别接收两个实时电平高低相反的触发信号，所述两个二级放大单元的输出端分别连接变压器T1的初级线圈的两端，变压器T1的次级线圈输出驱动信号以驱动所述MOSFET，每个二级放大单元包括一个NPN型三极管、一个PNP型三极管、一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管，所述两个三极管的集电极和发射极串联后连接在电源和地之间，其中PNP型三极管的发射极接电源，NPN型三极管的发射极接地，所述两个三极管的基极相接且该接点作为该二级放大单元的输入端，所述N沟道MOS管的栅极和所述P沟道MOS管的栅极分别连接所述NPN型三极管的集电极和所述PNP型三极管的集电极，所述N沟道MOS管的源极接地，所述P沟道MOS管的源极接电源，所述N沟道MOS管的漏极和所述P沟道MOS管的漏极相接后作为该二级放大单元的输出端。 

其中，每个二级放大单元还包括一个栅极电阻，该栅极电阻连接在所述PNP型三极管的集电极和NPN型三极管的集电极之间。 

其中，变压器T1设有两个次级线圈。 

其中，每个二级放大单元的两个MOS管是型号为IRF9952的场效应管里的两个MOS管。 

本发明创造的有益效果是：通过二级放大单元里的三极管和MOS管进行两次放大后，再由变压器输出驱动信号，因此提高了本驱动电路输出的驱动信号的驱动能力，可驱动功率较大的电力操作电源中的MOSFET。此外，本驱动电路采用变压器隔离，工作频率较高，可在高频软开关变换器中使用。本驱动电路主要由少量的三极管和MOS管以及一个变压器构成，结构简单，降低了成本。 

附图说明

图1为本MOSFET驱动电路的电路原理图。 

附图标记包括：二级放大单元11、12。 

具体实施方式

以下结合具体实施例对本发明创造进行详细说明。 

如图1所示，本实施例的驱动电路，包括变压器T1和两个二级放大单元11、12，二级放大单元11、12的输入端A、B分别接收两个实时电平高低相反的触发信号，例如某一时刻输入二级放大单元11的输入端A的触发信号的电平为高电平，则此时输入二级放大单元12的输入端B的另一触发信号的电平为低电平，反之亦然。二级放大单元11、12的输出端a、b分别连接变压器T1的初级线圈的两端，变压器T1的两个次级线圈输出驱动信号以驱动电力操作电源的MOSFET。R1和R2分别为型号为IRF9952的场效应管U1、U2的栅极电阻。