[实用新型]一种具有ESD保护电路结构的LED芯片

权利要求书

1.一种具有ESD保护电路结构的LED芯片，其特征在于包括：衬底(10)、第一N型层(20)、第一多量子阱(30)、第一P型层(40)、第一电流扩展层(50)、第一P型电极层(60)、第一N型电极层(70)、第二N型层(22)、第二多量子阱(32)、第二P型层(42)、第二电流扩展层(52)、第二P型电极层(62)和第二N型电极层(72)，其中，

所述衬底(10)、所述第一N型层(20)、所述第一多量子阱(30)、所述第一P型层(40)、所述第一电流扩展层(50)和所述第一P型电极层(60)依次相连接；

所述衬底(10)、所述第二N型层(22)、所述第二多量子阱(32)、所述第二P型层(42)、所述第二电流扩展层(52)和所述第二P型电极层(62)依次相连接；

所述第一N型电极层(70)与所述第一N型层(20)相连接；

所述第二N型电极层(72)与所述第二N型层(22)相连接。

2.根据权利要求1所述的具有ESD保护电路结构的LED芯片，其特征在于：所述衬底(10)的材料为蓝宝石。

3.根据权利要求2所述的具有ESD保护电路结构的LED芯片，其特征在于：所述第一N型层(20)为N型氮化镓层，所述第一P型层(40)为P型氮化镓层。

4.根据权利要求3所述的具有ESD保护电路结构的LED芯片，其特征在于：所述第二N型层(22)为N型氮化镓层，所述第二P型氮化镓层(42)为P型氮化镓层。

5.根据权利要求1所述的具有ESD保护电路结构的LED芯片，其特征在于：所述第一电流扩展层(50)的材料为氧化铟锡(ITO)、镍金或氧化锌。

6.根据权利要求1所述的具有ESD保护电路结构的LED芯片，其特征在于：所述第二电流扩展层(52)的材料为氧化铟锡(ITO)、镍金或氧化锌。