[实用新型]一种高频双向隔离系统

权利要求书

1.一种高频双向隔离系统，其特征在于：所述系统包括低压侧单元、高频双向隔离变压器和高压侧单元；所述低压侧单元连接所述高频双向隔离变压器的低压端，所述高压侧单元连接所述高频双向隔离变压器的高压端。

2.根据权利要求1所述的高频双向隔离系统，其特征在于：所述低压侧单元包括低压直流支撑电容C1、高频电力场效应晶体管T5、高频电感L1、高频电感L2、电力场效应晶体管T1和电力场效应晶体管T2。

3.根据权利要求2所述的高频双向隔离系统，其特征在于：所述低压直流支撑电容C1的正极连接高频电力场效应晶体管T5的源极，其负极接地；所述高频电力场效应晶体管T5的漏极同时连接高频电感L1和高频电感L2的一端，高频电感L1和高频电感L2的另一端分别连接电力场效应晶体管T1和电力场效应晶体管T2的漏极，同时电力场效应晶体管T1和电力场效应晶体管T2的源极分别和高频隔离变压器的低压端相连，电力场效应晶体管T1和电力场效应晶体管T2的源极均接地。

4.根据权利要求2或3所述的高频双向隔离系统，其特征在于：所述高频电力场效应晶体管T5为N沟通增强型电力场效应管，其工作频率达20kHz以上，且内部设有续流二极管。

5.根据权利要求2或3所述的高频双向隔离系统，其特征在于：所述电力场效应晶体管T1和电力场效应晶体管T2均为N沟通增强型电力场效应管，两者的工作频率高达20kHz以上，且内部分别设有续流二极管。

6.根据权利要求1所述的高频双向隔离系统，其特征在于：所述高频双向隔离变压器分为低压端和高压端，所述高频隔离变压器可耐受至少20kHz的高频交流电压，其变比为1：1；所述高频隔离变压器低压端和高压侧均耐受3000kV以上工频高压冲击，工作海拔高度不低于3000米。

7.根据权利要求1所述的高频双向隔离系统，其特征在于：所述高压侧单元包括隔直电容C4、可关断电力电子器件T3、可关断电力电子器件T4、高压直流支撑电容C2和高压直流支撑电容C3。

8.根据权利要求7所述的高频双向隔离系统，其特征在于：所述隔直电容C4串联在高频隔离变压器高压侧，所述可关断电力电子器件T3的发射极与可关断电力电子器件T4的集电极相连，同时和高频隔离变压器高压侧相连，可关断电力电子器件T4的发射极接地；所述高压直流支撑电容C2的正极连接可关断电力电子器件T3的集电极，其负极通过隔直电容C4连接高频隔离变压器高压侧，同时连接高压直流支撑电容C3的正极，所述高压直流支撑电容C3的负极接地。

9.根据权利要求7或8所述的高频双向隔离系统，其特征在于：所述隔直电容C4采用可耐高频纹波冲击的金属膜电容；

所述可关断电力电子器件T3和可关断电力电子器件T4均包括绝缘门极双极性晶体管和与绝缘门极双极性晶体管反并联的续流二极管。

10.根据权利要求7或8所述的高频双向隔离系统，其特征在于：所述高压直流支撑电容C2和高压直流支撑电容C3均包括多个并联的单体电容，且高压直流支撑电容C2和高压直流支撑电容C3内部的单体电容数量相等；所述单体电容采用电解电容或薄膜电容。