[实用新型]具有静电保护结构的功率器件

权利要求书

1.一种具有静电保护结构的功率器件，其特征在于，包括：漂移层，形成于所述漂移层下方的漏区，形成于所述漏区下方的漏极，形成于所述漂移层中的P-掺杂区，形成于所述漂移层中的第一N+掺杂区，形成于所述漂移层中的P+掺杂区，形成于所述漂移层上的第一绝缘膜，形成于所述漂移层、第一P-掺杂区与第一N+掺杂区上的第二绝缘膜，形成于所述第一、第二绝缘膜上的多晶硅层，形成于所述第二绝缘膜上的栅极，形成于所述第一绝缘膜上的静电保护层，形成于所述栅极、第一N+掺杂区、多晶硅层及静电保护层上的第三绝缘膜，形成于所述P+掺杂区与第一N+掺杂区上的源极，形成于所述多晶硅层上的静电电极，以及形成于所述源极、第三绝缘层及静电电极上的导线层；所述静电保护层包括数个第二P-掺杂区以及数个第二N+掺杂区，所述数个第二P-掺杂区与数个第二N+掺杂区相间排列。

2.根据权利要求1所述的具有静电保护结构的功率器件，其特征在于，所述静电保护层是由多晶硅层分别经过P+掺杂工艺以及N+掺杂工艺形成。

3.根据权利要求1所述的具有静电保护结构的功率器件，其特征在于，所述静电保护层包括四个第二N+掺杂区与三个第二P-掺杂区，所述四个第二N+掺杂区与三个第二P-掺杂区相间排列。

4.根据权利要求1所述的具有静电保护结构的功率器件，其特征在于，所述第一绝缘膜的厚度大于所述第二绝缘膜的厚度。

5.根据权利要求1所述的具有静电保护结构的功率器件，其特征在于，所述第一绝缘膜的材质为二氧化硅、氮氧化硅或氧化铪，所述第二绝缘膜的材质为二氧化硅、氮氧化硅或氧化铪，所述第三绝缘层的材质为磷硅酸盐玻璃、氟掺杂的硅酸盐玻璃或硼磷硅玻璃，所述漂移层为N型漂移层，所述漂移层包括第一漂移层以及形成于所述第一漂移层上的第二漂移层。