[实用新型]一种 OLED 面板及显示装置有效
申请号: | 201420617447.9 | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN204130537U | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 孙艳六;史世明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 面板 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及有机光电器件制备领域,尤其涉及一种OLED面板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode)技术是近几年比较热门的前瞻技术,OLED器件以其自发光,高对比度、宽视角、高相应速度等特点越来越受到人们的重视,成为理想的下一代显示器件。然而OLED也有自身的一些问题,比如,OLED的耦合出光效率只在20%以下,浪费了大量的光子。因此提高OLED器件的耦合出光效率至关重要。
一般情况下OLED面板的光输出模式是如图1所示,由于有机发光层3的折射率与阳极层2的折射率接近,因而由有机发光层3产生的光可以直接通过阳极层2,由于基板1的折射率约为1.5,小于阳极层2的折射率,因而光线会在阳极层2和基板之间的界面上发生全发射现象(如第一光线a所示),造成大量光线不能射出OLED器件,即使接近临界反射角的透射光线,由于基板1折射率大于空气,光线也会在基板1和空气界面上发生全反射(如第二光线b所示),同样滞留了大量的光线。这些被滞留在OLED器件内部的光子占到所有产出光子的80%~85%,所以造成了OLED器件的外部量子效率(EQE)非常低。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种OLED面板及显示装置,增大有机发光层发出的光线的利用率。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种OLED面板,包括基板以及依次设置在基板上的阳极层、有机发光层、阴极层,所述基板靠近所述阳极层的一面上设有多个凹槽形成透镜阵列。
进一步的,所述凹槽为弧面形成的半球形结构。
进一步的,所述基板和所述阳极层之间设有折射率与所述阳极层的折射率相同的有机层。
进一步的,所述阳极层的折射率为1.8,且所述有机发光层与所述阳极层的折射率相同。
进一步的,所述基板的折射率为1.5。
本实用新型还提供一种显示装置,包括上述的OLED面板。
本实用新型的有益效果是:透镜阵列的设置减少有机发光层发出的光线在所述阳极层与所述基板之间和所述基板与空气之间发生全反射,增大了有机发光层发出的光线的利用率。
附图说明
图1表示现有技术中OLED面板的结构示意图;
图2表示本实用新型一实施例中OLED面板结构示意图;
图3表示本实用新型一实施例中OLED面板结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的结构和原理进行详细说明,所举实施例仅用于解释本实用新型,并非以此限定本实用新型的保护范围。
如图2所示,本实施例提供一种OLED面板,包括基板1以及依次设置在基板1上的阳极层2、有机发光层3、阴极4层,所述基板1靠近所述阳极层2的一面上设有多个凹槽形成透镜阵列。
透镜阵列的设置,会汇聚到达基板1的界面上的光线,使原本在此界面上发生全反射的一部分光线(光线c)能够顺利通过界面,进入基板1内,由于对光线发生了汇聚,也缩小了基板1与空间界面上的光线入射角,能够使光线顺利透出OLED器件(如光线d),提高OLED器件的总体外部量子效率。
透镜阵列的设置减少有机发光层3发出的光线在所述阳极层2与所述基板1之间和所述基板1与空气之间发生全反射,减少了光线在OLED面板内的滞留,增大了有机发光层3发出的光线的利用率。
优选的,所述凹槽为弧面形成的半球形结构。应当理解的是,所述凹槽结构并不以此为限,只要起到汇聚光线的作用,所述凹槽的结构还可以采用斜面形成的锥形结构等。
优选的,所述基板1和所述阳极层2之间设有折射率与所述阳极层2的折射率相同的有机层5。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的