[实用新型]薄膜蒸镀设备及薄膜蒸镀系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体加工设备领域，特别涉及一种薄膜蒸镀设备及薄膜蒸镀系统。

背景技术

PECVD(等离子增强化学气相沉积)、PVD(溅镀沉积)、VTD(气相传输沉积)和CSS(封闭空间升华、加热蒸发镀膜)是半导体、LED、太阳能等行业中被广泛使用的薄膜镀膜技术。其中PECVD、PVD的镀膜速度较慢，对于较厚的膜，生产效率不高，而且源材料利用率低；而VTD技术只能进行单片基板的镀膜，由于结构的局限性，薄膜的均匀性不够好、基板尺寸受限制。常规的CSS技术无法进行基板行进中的连续镀膜，源材料温度均匀性不好，也不能连续喂料连续生产。

JP10-226877公开了一种薄膜沉积方法及装置，其可在同一基板的两面同时沉积镀膜，然而该基板是柔性基板如塑料膜或金属箔等材料。

为了改善蒸发容器中温度的不均匀变化、提高薄膜沉积的均匀性，三菱重工株式会社在中国专利CN101942639(2011-1-12)公开了一种真空气相沉积设备，其中的蒸发容器具有线性设置的多个直径相同的排放孔，并且具有多个直径相同的通孔的射流板，然而该方法主要是用于沉积多种蒸发材料，源材料利用率不高。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种薄膜蒸镀设备及薄膜蒸镀系统，以解决使用现有技术中薄膜蒸镀设备所蒸镀的薄膜的存在薄膜均匀性不好，源材料利用率不高的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种薄膜蒸镀设备，所述薄膜蒸镀设备包括：匹配箱、喂料单元、主室；其中，所述喂料单元的一端设置有匹配箱，其另一端设置有主室；

所述匹配箱的内部设置有射频源及直流源，用于产生等离子；

所述喂料单元用于提供蒸镀的源材料；

所述主室，用于提供薄膜蒸镀的空间。

可选的，在所述的薄膜蒸镀设备中，所述主室的内部设置有保护罩单元，所述保护罩单元设置于所述源材料与所述主室的内壁之间。

可选的，在所述的薄膜蒸镀设备中，所述主室内部还设置有加热单元及控制所述加热单元作升降运动的升降单元。

可选的，在所述的薄膜蒸镀设备中，所述加热单元设置有超模针，所述超模针用于调整所述加热单元上的晶圆的位置。

可选的，在所述的薄膜蒸镀设备中，所述匹配箱内部还设置有过滤器，所述过滤器设置于所述射频源与所述直流源之间。

可选的，在所述的薄膜蒸镀设备中，所述喂料单元通过铜电极棒与所述匹配箱相连。

可选的，在所述的薄膜蒸镀设备中，所述喂料单元内部设置有磁单元、控制所述磁单元运动的磁转动单元、设置于所述磁单元一侧的源材料。

可选的，在所述的薄膜蒸镀设备中，所述喂料模块设置有干扰阻挡结构及射频绝缘结构，所述干扰阻抗结构设置于所述磁单元及所述磁转动单元的周围；所述射频绝缘结构设置于所述源材料周围。

可选的，在所述的薄膜蒸镀设备中，所述干扰阻挡结构的材质为树脂材料。

可选的，在所述的薄膜蒸镀设备中，还设置有低温泵，所述低温泵设置于所述主室的一侧，用于调节所述主室中的压力。

本实用新型还提供一种薄膜蒸镀系统，包括：固定架及设置于所述固定架上的装载室、定向室、传递室及若干个如上所述的薄膜蒸镀设备；其中，

所述装载室，用于装载需要镀膜的若干晶圆；

所述定向室，用于对所述若干晶圆进行对准；

所述传递室，用于将在所述定向室中对准后的若干晶圆搬运到所述薄膜蒸镀设备。

所述薄膜蒸镀设备，用于对所述传递室搬运过来的每个晶圆进行薄膜蒸镀。

可选的，在所述的薄膜蒸镀系统中，所述薄膜蒸镀设备的外壁由金属制成。

在本实用新型所提供的薄膜蒸镀设备及薄膜蒸镀系统中，通过利用匹配箱的内部设置射频源及直流源来使喂料单元中产生等离子实现对晶圆的薄膜蒸镀，提高了薄膜的均匀性。另一方面，在源材料与主室的内壁之间设置有保护罩单元，避免进行薄膜蒸镀时蒸镀的源材料贴到主室的内壁上的情况，减少了源材料的损耗，从而提高了源材料的利用率。

附图说明

图1是本实用新型一实施例中薄膜蒸镀系统的结构示意图；

图2是本实用新型一实施例中薄膜蒸镀设备的剖面图；

图3是本实用新型一实施例中匹配箱的内部构成图；

图4是本实用新型一实施例中喂料单元的剖面图。

图1-图4中：