[实用新型]一种基于双平面缺陷结构的小型化宽阻带低通滤波器有效
申请号: | 201420613458.X | 申请日: | 2014-10-22 |
公开(公告)号: | CN204205005U | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 章志华;陆海良;郁钢;高扬华 | 申请(专利权)人: | 浙江中烟工业有限责任公司 |
主分类号: | H01P1/203 | 分类号: | H01P1/203 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人: | 王从友 |
地址: | 310008 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 平面 缺陷 结构 小型化 宽阻带低通 滤波器 | ||
1.一种基于双平面缺陷结构的小型化宽阻带低通滤波器,该滤波器包括介质板(1)、正面部分(2)、反面部分(3)、导带(4)、接地板(16)、输入端口(5)和输出端口(6),所述的导带(4)横向设置在介质板(1)的正面,导带(4)的两端分别与所述的输入端口(5)和输出端口(6)相连接,所述的接地板(16)设置在介质板(1)的反面;其特征在于:所述的正面部分(2)包括设置在介质板(1)上方的第一互补型矩形开口缺陷微带结构(7)、第二互补型矩形开口缺陷微带结构(8)、第三互补型矩形开口缺陷微带结构(9)和第四互补型矩形开口缺陷微带结构(10),四个互补型矩形开口缺陷微带结构在导带(4)的横向上依次设置,每个互补型矩形开口缺陷微带结构由两个开口方向相反的内侧环型缝隙(22)和外侧环型缝隙(21)构成,内侧环型缝隙(22)和外侧环型缝隙(21)同心均由导带(4)蚀刻形成;所述的反面部分(3)包括第一四U型缺陷地结构(11)、第二四U型缺陷地结构(12)、第三四U型缺陷地结构(13)和第四四U型缺陷地结构(14),四个四U型缺陷地结构在接地板(16)横向上依次设置,每个四U型缺陷地结构由四个U型缝隙(15)嵌合在一起构成,四个U型缝隙(15)均由接地板(16)蚀刻形成,四个U型缝隙(15)的终端对齐。
2.根据权利要求1所述的一种基于双平面缺陷结构的小型化宽阻带低通滤波器,其特征在于:第一互补型矩形开口缺陷微带结构(7)、第二互补型矩形开口缺陷微带结构(8)、第三互补型矩形开口缺陷微带结构(9)和第四互补型矩形开口缺陷微带结构(10)除环型缝隙的长度不相等以外,其它尺寸均相同。
3.根据权利要求1所述的一种基于双平面缺陷结构的小型化宽阻带低通滤波器,其特征在于:内侧环型缝隙(22)和外侧环型缝隙(21)的宽度分别为2.4mm 和3.6mm,开口(23)的长度为0.6mm,内外侧环型缝隙(21)的间距是0.3mm。
4.根据权利要求2或3所述的一种基于双平面缺陷结构的小型化宽阻带低通滤波器,其特征在于:外侧环型缝隙(21)的长度分别为16.0mm、14.6mm、13.3mm和12.1mm,第一互补型矩形开口缺陷微带结构(7)、第二互补型矩形开口缺陷微带结构(8)、第三互补型矩形开口缺陷微带结构(9)和第四互补型矩形开口缺陷微带结构(10)之间的间距均为3.5mm。
5.根据权利要求1所述的一种基于双平面缺陷结构的小型化宽阻带低通滤波器,其特征在于:第一四U型缺陷地结构(11)、第二四U型缺陷地结构(12)、第三四U型缺陷地结构(13)和第四四U型缺陷地结构(14)的U型缝隙(15)的宽度相同,从外侧到内侧每个U型缝隙(15)的横向长度和纵向长度不同。
6.根据权利要求5所述的一种基于双平面缺陷结构的小型化宽阻带低通滤波器,其特征在于:第一四U型缺陷地结构(11)、第二四U型缺陷地结构(12)、第三四U型缺陷地结构(13)和第四四U型缺陷地结构(14)的U型缝隙(15)的宽度为0.3mm。
7.根据权利要求5或6所述的一种基于双平面缺陷结构的小型化宽阻带低通滤波器,其特征在于:从外侧到内侧:第一四U型缺陷地结构(11)每个U型缝隙(15)的纵向长度依次为12.8mm、10.6mm、6.5mm和4.8mm,横向长度依次为12.1mm、10.7mm、7.6mm和5.9mm;第二四U型缺陷地结构(12)每个U型缝隙(15)的纵向长度依次为12.8mm、10.0mm、6.5mm和4.8mm,横向长度依次为11.6mm、9.8mm、6.8mm和5.5mm;第三四U型缺陷地结构(13)每个U型缝隙(15)的宽度依次为12.8mm、10.0mm、6.5mm和4.8mm,横向长度依次为10.6mm、8.6mm、6.0mm和5.1mm;第四四U型缺陷地结构(14)的纵向长度依次为12.8mm、10.0mm、6.5mm和4.8mm,横向长度依次为10.3mm、7.0mm、5.5mm和4.8mm。
8.根据权利要求5或6所述的一种基于双平面缺陷结构的小型化宽阻带低通滤波器,其特征在于:第一四U型缺陷地结构(11)、第二四U型缺陷地结构(12)、第三四U型缺陷地结构(13)和第四四U型缺陷地结构(14)各自之间的间距不同。
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