[实用新型]击穿电压的测试结构有效
| 申请号： | 201420611821.4 | 申请日： | 2014-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN204241624U | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 周华阳;宋永梁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 击穿 电压 测试 结构 | ||
1.一种击穿电压的测试结构，其特征在于，包括需要测试击穿电压的测试样品，与所述测试样品串联的保险丝元件以及电流单向导通元件，所述保险丝元件与电流单向导通元件并联设置。
2.如权利要求1所述的击穿电压的测试结构，其特征在于，所述电流单向导通元件为二极管。
3.如权利要求2所述的击穿电压的测试结构，其特征在于，所述二极管包括：半导体衬底、位于所述半导体衬底内的第一掺杂阱与第二掺杂阱、分别位于所述第一掺杂阱与第二掺杂阱内的第一掺杂区与第二掺杂区、以及位于所述第一掺杂阱与第二掺杂阱之间的半导体衬底内的浅沟道隔离。
4.如权利要求3所述的击穿电压的测试结构，其特征在于，所述半导体衬底为P型衬底。
5.如权利要求4所述的击穿电压的测试结构，其特征在于，所述第一掺杂阱与所述第一掺杂区的掺杂类型相同，所述第二掺杂阱与所述第二掺杂区的掺杂类型相同。
6.如权利要求5所述的击穿电压的测试结构，其特征在于，所述第一掺杂阱为N型阱，所述第一掺杂区为N型掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂阱的掺杂浓度。
7.如权利要求5所述的击穿电压的测试结构，其特征在于，所述第二掺杂阱为P型阱，所述第二掺杂区为P型掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂阱的掺杂浓度。
8.如权利要求1所述的击穿电压的测试结构，其特征在于，所述保险丝元件包括保险丝本体，所述保险丝本体呈管状，材质为金属或者多晶硅。
9.如权利要求8所述的击穿电压的测试结构，其特征在于，在所述保险丝本体的两端还设置有保险丝连接元件，使得保险丝元件与电流单向导通元件相连接。
10.如权利要求1所述的击穿电压的测试结构，其特征在于，所述测试样品为场效应晶体管或栅氧电容。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420611821.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
