[实用新型]一种半导体测试结构

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：第一金属层、第二金属层、连接所述第一金属层与所述第二金属层的第一连接通孔和第二连接通孔、依次排列的第一焊垫、第二焊垫、第三焊垫、第四焊垫和第五焊垫； 

所述第一金属层包括第一金属线、第二金属线、第三金属线和第四金属线；所述第一金属线一端与所述第三焊垫相连接，另一端与所述第一连接通孔的上表面相连接；所述第二金属线一端与所述第一连接通孔的上表面相连接，另一端与所述第五焊垫相连接；所述第三金属线一端与所述第三焊垫相连接，另一端与所述第二连接通孔的上表面相连接；所述第四金属线一端与所述第二连接通孔的上表面相连接，另一端与所述第五焊垫相连接； 

所述第二金属层包括第五金属线、第六金属线、第七金属线和第八金属线；所述第五金属线一端与所述第二焊垫相连接，另一端与所述第一连接通孔的下表面相连接；所述第六金属线一端与所述第一连接通孔的下表面相连接，另一端与所述第一焊垫相连接；所述第七金属线一端与所述第四焊垫相连接，另一端与所述第二连接通孔的下表面相连接；所述第八金属线一端与所述第二连接通孔的下表面相连接，另一端与所述第一焊垫相连接。 

2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属线的长度和宽度分别等于所述第三金属线的长度和宽度，所述第二金属线的长度和宽度分别所述第八金属线的长度和宽度，所述第四金属线的长度和宽度分别等于所述第六金属线的长度和宽度，所述第五金属线的长度和宽度分别等于所述第七金属线的长度和宽度。 

3.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于：所有金属线的宽度均相等。 

4.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属线的长度和宽度分别等于所述第五金属线的长度和宽度，所述第三金属线的长度和宽度分别等于所述第七金属线的长度和宽度。 

5.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第二金属线和第四金属线位于所述第一连接通孔及所述第二连接通孔的一侧，所述第六金属线和第八金属线位于所述第一连接通孔及所述第二连接通孔的另一侧，且所述两侧为相对的两侧。 

6.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层中金属线的材料与 所述第二金属层中金属线的材料相同。 

7.根据权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层中的金属线与所述第二金属层中的金属线均为铜线。 

8.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层与所述第二金属层之间设有一介质层，所述第一连接通孔与所述第二连接通孔均位于所述介质层中。 

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层还包括第九金属线，所述第二金属线和所述第四金属线均通过所述第九金属线与所述第五焊垫相连接；所述第二金属层还包括第十金属线，所述第六金属线和所述第八金属线均通过所述第十金属线与所述第一焊垫相连接。 

10.根据权利要求9所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第二金属线、第四金属线、第六金属线和第八金属线均包括相互垂直连接的第一部分和第二部分；其中，所述第二金属线的第一部分与所述第一连接通孔的上表面相连接，所述第二金属线的第二部分与所述第九金属线远离所述第五焊垫的一端相连接；所述第四金属线的第一部分与所述第二连接通孔的上表面相连接，所述第四金属线的第二部分与所述第九金属线远离所述第五焊垫的一端相连接；所述第六金属线的第一部分与所述第一连接通孔的下表面相连接，所述第六金属线的第二部分与所述第十金属线远离所述第一焊垫的一端相连接；所述第八金属线的第一部分与所述第二连接通孔的下表面相连接，所述第八金属线的第二部分与所述第十金属线远离所述第一焊垫的一端相连接。 

11.根据权利要求10所述的半导体测试结构，其特征在于：所有金属线第一部分的长度均相等，所述金属线第二部分的长度均相等，且所有金属线的宽度相等。