[实用新型]多物理场下的电容测量设备有效

专利信息
申请号: 201420603572.4 申请日: 2014-10-20
公开(公告)号: CN204166053U 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 李哲;张元磊;徐坤;曹义明 申请(专利权)人: 曲靖师范学院
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26;G01R31/00
代理公司: 云南省曲靖市专利事务所 53104 代理人: 许永昌;郎正德
地址: 655011 云*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 物理 电容 测量 设备
【权利要求书】:

1.一种多物理场下的电容测量设备,其特征在于:包括NF-ZM2353型LCR测量仪(3)、微机终端(1)、样品台接头(21)和样品台(23)、变温变磁装置及其中的杜瓦套(8)、低温腔体(24)、样品导管(10)、杜瓦盖(11)、超导线圈(22); 

所述变温变磁装置中的杜瓦盖(11)通过第一法兰(19)密封地安装于杜瓦套(8)上端面从而形成一外腔体,此外腔体内有一个杜瓦瓶(9),杜瓦盖中央开有一通孔,所述低温腔体(24)下端嵌入杜瓦盖(11)的通孔中并位于杜瓦瓶(9)内,一真空模块(13)位于低温腔体(24)上端,此真空模块(13)与低温腔体(24)之间通过密封环(12)连接,所述真空模块(13)上设置了用于抽气的真空泵接口(16);所述超导线圈(22)缠绕于低温腔体(24)下部的外侧面,沿着低温腔(24)的内壁设有防护层保护下的超导线圈控制电路(20),这些密封的超导线圈控制电路(20)紧贴腔体壁并连接至位于真空模块(13)处的控磁线路接口(14);

所述样品导管(10)下端穿过真空模块(13)与密封环(12)进入到低温腔体(24)内,样品导管(10)的上端设有屏蔽电缆接口(15),屏蔽电缆接口(15)用于将样品导管(10)内部的信号传输线路连接至温度与磁场控制模块(6);

所述样品台(23)分为三层结构,第一层结构(26)包括样品安装区域、线路连接通道A和拓展线路连接通道B,第二层结构(27)中装配有用于控制样品的实验温度的发热片(32)和用于测温的热电偶(31),第三层结构(28)中设计有针脚孔(34);

所述微机终端(1)通过GPIB转换接口(2)分别与温度磁场控制模块(6)、LCR测量仪(3)连接,温度磁场控制模块(6)连接到超导线圈(22)和热电偶(31),LCR测量仪(3)通过三通屏蔽电缆(4)连接到线路连接通道A的负极端(V-)、正极端(V+);第一层结构(26)上的样品安装区(36)中安装样品平板电容器(37),样品平板电容器(37)的2个侧表面刷制有两个银电极(40),两个银电极(40)上分别焊接有第一、第二引线(42),此第一、第二引线(42)通道A的负极端(V-)、正极端(V+)。

2.根据权利要求1所述的多物理场下的电容测量设备,其特征在于:杜瓦瓶(9)内部装有超过三分之二的液氦,这些液氦足以完全浸泡超导线圈(22);密封环(12)与低温腔和真空模块之间的接触区域涂抹有真空硅脂层。

3.根据权利要求1所述的多物理场下的电容测量设备,其特征在于:变温变磁装置中还包括一个使低温腔体(24)在竖直方向上下移动并带动超导线圈(22)移动实现调整超导线圈(22)浸入液氦深度的限位环(18),此限位环(18)侧面具有螺纹面,限位环(18)位于杜瓦盖(11)和低温腔体(24)之间。

4.根据权利要求1所述的多物理场下的电容测量设备,其特征在于变温变磁装置中的低温腔(24)内安装有样品导管(10)、在低温腔(24)下部外围安装有超导线圈(22),在样品导管(10)的顶端设有传输电容信号的屏蔽电缆接口(15),设有样品台接头(21),样品台接头(21)的下端开有样品台安装槽(25),装接有样品台(23);低温腔(24)内壁铺设有超导线圈控制电路(20)。

5.根据权利要求1所述的多物理场下的电容测量设备,其特征在于样品台(23)的结构分为三层,样品台第一层(26)上有样品粘贴区(36)、样品平板电容器(37)连接通道A,用于样品台(23)功能拓展的线路连接通道B;样品台第二层(27)中装配有用于控制实验温度的发热片(32)和用于测量实验温度的热电偶(31);第三层为针脚孔(34);所述样品台接头(21)的样品台安装槽(25)内设有引线针脚(29)。

6.根据权利要求1或4或5任一项所述的多物理场下的电容测量设备,其特征在于样品台接头(23)上的安装槽(25)内设计有限位槽(30)。

7.根据权利要求1或4或5任一项所述的多物理场下的电容测量设备,其特征在于样品台第二层结构(27)中设有发热片(32),热电偶(31)与发热片(32)形成对称安装。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于曲靖师范学院,未经曲靖师范学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420603572.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top