[实用新型]质量分析器有效
| 申请号： | 201420600621.9 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN204155901U | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 许飞;汪东;李楠;秦斌;於鹏飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42;H01J37/317;H01J37/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 质量 分析器 | ||
【权利要求书】：
1.一种质量分析器，适于离子注入系统，所述质量分析器适于分离离子束中不同电荷-质量比的离子，在所述质量分析器的内壁包括离子撞击区域，其特征在于，所述质量分析器的内壁上设有一层碳化硅层。
2.根据权利要求1所述的质量分析器，其特征在于：所述碳化硅层位于所述离子撞击区域的表面上。
3.根据权利要求1所述的质量分析器，其特征在于：所述碳化硅层的厚度为1.5mm～2.5mm。
4.根据权利要求3所述的质量分析器，其特征在于：所述碳化硅层的厚度为2mm。
5.根据权利要求1所述的质量分析器，其特征在于：所述碳化硅层为化学气相沉积法制得的碳化硅层。
6.根据权利要求1所述的质量分析器，其特征在于：所述质量分析器内壁与所述碳化硅层之间还设有一层保护层。
7.根据权利要求6所述的质量分析器，其特征在于：所述保护层为石墨涂层。
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