[实用新型]一种用于制备两层四点发光OLED器件的掩膜板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于制备两层四点发光OLED器件的掩膜板。

背景技术

目前，公知的OLED器件掩膜板都是基于OLED的基本结构而设计的。其基本结构一般由一薄而透明的铟锡氧化物(ITO)阳极，空穴传输层、发光层与电子传输层和金属阴极构成，包成如三明治的结构。因此公知的OLED掩膜板只包括一个阴极掩膜板和有机物掩膜板，用于制作单层发光的OLED器件，如单层红光器件、小分子绿光器件等。而且，目前的OLED器件掩膜板一般无法一次性制作多个器件，难以实现高效率的器件生产和制备，从而导致研究人员需要进行多次蒸镀等相对较复杂的操作步骤，造成生产滞后和科研效率降低的后果。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足提供了一种能够实现两层有机发光二极管器件的制备的OLED器件掩膜板，且能够在30mm*30mm基板上一次性制备4个发光器件，提高了生产效率。

本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案

一种用于制备两层四点发光OLED器件的掩膜板，包含由下至上分布的玻璃基板、ITO、第一有机物掩膜板、底层电极掩膜板、第二有机物掩膜板和顶层电极掩膜板。

优选的，所述第一、第二有机物掩膜板均采用可真空蒸镀的有机物小分子。

优选的，所述玻璃基板尺寸为30mm*30mm正方形，基板上设计了十条呈中心对称的矩型ITO，各矩形ITO之间彼此隔断。

优选的，所述底层电极掩膜板所蒸镀的电极在不同情况下分别作为底层发光器件的阴极或顶层发光器件的阳极，所述底层电极掩膜板为30mm*30mm正方形基板，基板采用左右对称的四个矩形镂空设计，镂空的矩形尺寸为4mm*8mm。

优选的，所述有机物掩膜板用于蒸镀ITO和底层电极掩膜板之间的各层有机功能材料，有机物掩膜板为30mm*30mm正方形基板，基板采用中心位置的一个矩形镂空设计，镂空的矩形尺寸为20mm*12mm。

优选的，所述顶层电极掩膜板用于蒸镀顶层OLED器件的阴极，顶层电极掩膜板为30mm*30mm正方形基板。

本实用新型采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：

1、结构简单、易于实现。

2、能够实现两层有机发光二极管器件的制备，提高器件的发光亮度发光效率。

3、能够在30mm*30mm基板上一次性制备4个发光器件，提高了生产效率，且机械结构简单。

附图说明

图1是使用本实用新型所制备器件平面结构示意图。

图2是本实用新型的ITO玻璃基板平面结构示意图。

图3是本实用新型的底层电极掩膜板平面结构示意图。

图4是本实用新型的有机物掩膜板平面结构示意图。

图5是本实用新型的顶层电极掩膜板平面结构示意图。

图中，1-玻璃基板  2-铟锡氧化物(ITO)  3-OLED器件 4-底层电极 5-顶层电极    6-有机物层 7-底层电极掩膜板矩形镂空 8-有机物掩膜板矩形镂空 9-顶层电极掩膜板矩形镂空。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的技术方案做进一步的详细说明：

如图1所示， 一种用于制备两层四点发光OLED器件的掩膜板，包含由下至上分布的玻璃基板、ITO、第一有机物掩膜板、底层电极掩膜板、第二有机物掩膜板和顶层电极掩膜板。

其中，所述第一、第二有机物掩膜板均采用可真空蒸镀的有机物小分子，所述玻璃基板尺寸为30mm*30mm正方形，基板上设计了十条呈中心对称的矩型ITO，各矩形ITO之间彼此隔断，所述底层电极掩膜板所蒸镀的电极在不同情况下分别作为底层发光器件的阴极或顶层发光器件的阳极，所述底层电极掩膜板为30mm*30mm正方形基板，基板采用左右对称的四个矩形镂空设计，镂空的矩形尺寸为4mm*8mm，所述有机物掩膜板用于蒸镀ITO和底层电极掩膜板之间的各层有机功能材料，有机物掩膜板为30mm*30mm正方形基板，基板采用中心位置的一个矩形镂空设计，镂空的矩形尺寸为20mm*12mm，所述顶层电极掩膜板用于蒸镀顶层OLED器件的阴极，顶层电极掩膜板为30mm*30mm正方形基板。