[实用新型]具有新型扩展电极结构的发光二极管有效
| 申请号： | 201420590729.4 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN204189820U | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 白继锋;马祥柱;杨凯;陈亮;李俊承;陈宝;张银桥 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/36 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 新型 扩展 电极 结构 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.具有新型扩展电极结构的发光二极管，在具有背电极的衬底上依次设置有金属键合层、镜面反射层、外延层、扩展电极和主电极，外延层通过镜面反射层连接在金属键合层上；外延层包括P-GaP电流扩展层、缓冲层、P-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、N-AlGaInP限制层、N-AlGaInP电流扩展层、粗化层和N-GaAs欧姆接触层；其特征在于所述N-GaAs欧姆接触层为图形化的N-GaAs欧姆接触层，扩展电极设置在图形化的N-GaAs欧姆接触层上并与图形化的N-GaAs欧姆接触层形成电学连接，在扩展电极上设置主电极，且扩展电极掩埋在主电极中，扩展电极尺寸小于主电极尺寸。
2.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于所述图形化的N-GaAs欧姆接触层的图形为圆环形，或多边形，或离散且均匀分布的点状。
3.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于所述图形化的N-GaAs欧姆接触层的正投影面积占主电极的正投影面积的20%～50%。
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