[实用新型]坩埚

说明书

技术领域

本实用新型涉及煅烧容器，尤其涉及一种坩埚。

背景技术

高纯硅材料普遍用于太阳能电池、大规模集成电路等行业。要获得高纯度的硅的，就必须通过一些工艺除去原料中的杂质。目前，高纯硅精炼的一种方式是向冶炼坩埚中吹入气体来捕捉杂质，促进杂质上浮，从而达到去除杂质、提高纯度的目的。现有的技术中使用的除杂方式是，在坩埚底部开孔，装入透气砖，然后从透气砖中吹入气体，用于除杂。然而该方案破坏了坩埚的结构，使坩埚的强度下降，并且，坩埚在透气砖与开孔位置容易受到高温的原液的侵蚀而产生泄漏等。

现有的专利文献中已有无需在坩埚底部开孔的方案，如公告号为CN201530726U、公告日为2010-07-21的中国专利文献，公开了一种具有透气砖的碳素坩埚，包括：坩埚本体、透气砖和供气管，所述透气砖设置在所述坩埚本体的内部并置于坩埚底部的上表面，包括透气砖本体和设置在所述透气砖本体内部的透气砖芯；在所述透气砖芯的底面和所述透气砖本体的底板之间形成有气室；所述供气管从所述坩埚本体内熔融液体液面上方进入所述坩埚本体内并与所述气室连通。该技术方案的不足之处在于，其产生的用于除杂气体过于集中，只在小部分范围内具有杂质的清除效果，再者，从液面上方插入，占用坩埚上方的空间，影响坩埚中熔融液体的搅拌。

实用新型内容

为解决现有的吹气除杂式的坩埚产生的气泡群过于集中，分布范围小，只能对局部范围除杂、除杂效果差的问题，本实用新型提供一种除杂的气泡群分布范围广，除杂效果好，得出的硅纯度高的坩埚。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种坩埚，包括具有容腔的坩埚本体，容腔的底面之上铺设有透气砖，透气砖为多孔的弥散型结构，透气砖的下表面之上设有若干相互连通的气室，坩埚本体下部的外壁上设有贯穿连通气室的输气孔道。通过将表面具有若干气室的透气砖铺设在坩埚的底面上，而不是在坩埚底面上开孔安装透气装，不仅保持了坩埚原有的物理性能，而且，透气砖上产生气泡的表面积可以设置成和坩埚容腔底面一样大，增加了气泡产生的表面积，也增加了气泡产生的位置，使得气泡群能够分布在容腔的各个位置，有利于对容腔各个位置的熔融液体的全方位除杂，除杂效果好，相互连通的气室可将从输气孔道中输入的气体导入不同位置的气室中，使气体在不同位置产生气泡，增加气泡产生的位置，提高除杂效果。

作为优选，气室的形状为半球形，各气室均匀分布在透气砖上，各气室之间通过半圆柱形的导气槽连通，导气槽的深度小于气室的深度。半球形的气室，增加气体通过透气砖的表面积和气体运动的方向，导气槽将输入的气体导入到不同位置的气室，从而使气体在容腔的不同位置产生气泡用于除杂。

作为优选，透气砖的上表面为凹凸不平的结构。透气砖上表面为凹凸不平的结构，增加了透气的表面积，同时，也使气泡透出的方向不仅直接朝上，而且可以朝着一定角度透出，可以增加透出的气泡的分布范围。

本实用新型的有益效果是：除杂的气泡群分布范围广，除杂效果好，得出的硅纯度高。

附图说明

图1是本实用新型结构示意图。

图2是图1的A-A剖面图。

图中：1.坩埚本体，11.容腔，12.输气孔道，2.透气砖，21.气室，22.导气槽。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1、图2所示，一种坩埚，包括具有容腔11的坩埚本体1，容腔11的底面之上铺设有透气砖2，透气砖2为多孔的弥散型结构，透气砖2的下表面之上设有若干相互连通的气室21，坩埚本体1下部的外壁上设有贯穿连通气室的输气孔道12；输气孔道12设置在坩埚本体1的底壁中，气室21的形状为半球形，各气室21均匀分布在透气砖2上，各气室21之间通过半圆柱形的导气槽22连通，导气槽22的深度小于气室21的深度；透气砖2的上表面为凹凸不平的结构。