[实用新型]一种新型沟槽MOSFET单元

权利要求书

1.一种新型沟槽MOSFET单元，其特征在于，包括MOSFET衬底及其上形成的外延层，形成在该外延层内的沟槽及被沟槽分割的轻掺杂区，在沟槽的内表面形成有第一介质层，在沟槽内的第一介质层上形成有导电的填充层，在轻掺杂区内形成有重掺杂区，该沟槽MOSFET还包括外围金属层，栅极金属层，源极金属层和漏极金属层、离子掺杂区。

2.根据权利要求1所述沟槽MOSFET单元，其特征在于，所述离子掺杂区中的离子根据外延层设置。

3.    根据权利要求2所述沟槽MOSFET单元，其特征在于，所述离子掺杂区设置在刻蚀完成的沟槽上。

4.根据权利要求3所述沟槽MOSFET单元，其特征在于，所述离子掺杂区上设置氧化层。

5.根据权利要求4所述沟槽MOSFET单元，其特征在于，所述离子掺杂区中的离子比例根据目标导通电阻设置。

6.    根据权利要求1所述沟槽MOSFET单元，其特征在于，在所述离子掺杂区上设置氧化层。

7.根据权利要求1所述沟槽MOSFET单元，其特征在于，在MOSFET单元内设置MOSFET驱动电路，MOSFET驱动电路它包括输出电路、输入电路、第一光耦和驱动电路；输入电路与第一光耦连接，第一光耦与驱动电路连接；输入电路由第三电阻、第四电阻和第五电阻组成，第三电阻和第四电阻串联后与第五电阻并联，第三电阻的另一端与信号输入端连接，第四电阻的另一端与控制地连接；第一光耦的第二引脚与第三电阻和第四电阻的串联点相连接，第一光耦的第三引脚、第三引脚、第四引脚均分别接控制地。