[实用新型]一种高可靠性的倒装LED芯片及其LED器件有效
| 申请号： | 201420586968.2 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN204179102U | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 黄靓;吴金明;姜志荣;万垂铭;曾照明;肖国伟 | 申请（专利权）人： | 晶科电子（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/12;H01L33/62 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 肖云 |
| 地址： | 511458 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 倒装 led 芯片 及其 器件 | ||
1.一种高可靠性的倒装LED芯片，该LED芯片包括外延衬底和依次层叠生长在所述外延衬底之上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和接触反射层，所述接触反射层下表面部分覆盖在所述第二半导体层上，其特征在于：
在接触反射层四周包覆生长第一阻挡层，在所述接触反射层和第一阻挡层的上表面生长第二阻挡层；
在所述第二阻挡层上表面内开设有第一安装槽，所述第一安装槽一直延伸至第一半导体层以露出所述第一半导体层；
在所述第一安装槽的侧壁和第二阻挡层的上表面形成一绝缘层；
在所述第二阻挡层上表面的绝缘层上开设有第二安装槽；
在所述第二安装槽内安装有第二电极，所述第二电极与所述第二阻挡层电连接；
在所述第一安装槽内安装有第一电极，所述第一电极与所述第一半导体层电性连接；
所述第一电极的上表面与所述第二电极的上表面齐平。
2.根据权利要求1所述的高可靠性的倒装LED芯片，其特征在于：所述衬底与所述第一半导体层之间设置缓冲层。
3.根据权利要求1所述的高可靠性的倒装LED芯片，其特征在于：所述第一阻挡层的厚度与所述接触反射层厚度相同，所述第二阻挡层平铺在所述第一阻挡层和所述接触反射层上表面。
4.根据权利要求1所述的高可靠性的倒装LED芯片，其特征在于：所述第一阻挡层的厚度大于所述接触反射层，所述第二阻挡层铺设于所述第一阻挡层和所述接触反射层的上表面，且位于所述第一阻挡层和所述接触反射层上表面的第二阻挡层厚度相同。
5.根据权利要求3或4所述的高可靠性的倒装LED芯片，其特征在于：所述接触反射层为镍、钛、金、铂、铬、银或铝中的一种。
6.根据权利要求3或4所述的高可靠性的倒装LED芯片，其特征在于：所述第二阻挡层包括金属阻挡层以及依次铺设于所述金属阻挡层上表面的空洞保护层和表面层。
7.根据权利要求1所述的高可靠性的倒装LED芯片，其特征在于：所述绝缘层由三层以上绝缘层单元堆叠而成，每层绝缘层单元采用不同的工艺制作。
8.一种LED器件，其特征在于：包括基板以及权利要求1—7中任一项所述的倒装LED芯片，所述倒装LED芯片通过贴片回流或者热超声共晶焊的方法与所述基板相结合。
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