[实用新型]一种基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极及二次铝电池

权利要求书

1.一种基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极，其特征在于，所述正极以具有导电基底的石墨烯阵列为三维导电骨架，导电骨架中均匀分布含硫活性物质，最外层包覆聚吡咯。

2.如权利要求1所述的基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极，其特征在于，石墨烯竖直生长在导电基底表面。

3.如权利要求1所述的基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极，其特征在于，所述导电基底包括碳纤维、玻态碳、钛、镍、不锈钢、铁、铜、锌、铅、锰、镉、金、银、铂、钽、钨、导电塑料、导电橡胶或高掺杂硅中的任意一种。

4.如权利要求1所述的基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极，其特征在于，所述含硫活性物质包括单质硫或含有S-S键的有机化合物。

5.如权利要求1所述的基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极，其特征在于，所述含硫活性物质和聚吡咯均为纳米尺寸。

6.一种二次铝电池，包括正极、负极和电解液，其特征在于：

（a）权利要求1所述的基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极；

（b）含铝负极；

（c）非水含铝电解液。