[实用新型]改善OLED面板Mura缺陷的像素驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及OLED驱动技术领域，具体地指一种改善OLED面板Mura缺陷的像素驱动电路。

背景技术

OLED面板(有机电致发光显示器)作为继TFT-LCD(液晶显示器)之后的第三代显示器，与TFT-LCD相比，具有响应速度快、高亮度、高对比度、超轻超薄、低功耗、无视角限制、工作温度范围宽、抗震性能好、可实现柔软显示等优点，可以预见在不久的将来OLED面板将会成为通用性的显示设备走进千家万户。

传统的2T1C OLED驱动结构由2个薄膜晶体管和1个电容搭建，如图1所示，其工作过程为：扫描驱动模块发出选通信号，第一晶体管TFT1被打开，数据信号Vdata通过第一晶体管TFT1对电容Cs进行充电，同时电容Cs将数据信号Vdata送达第二晶体管TFT2的栅极选通第二晶体管TFT2；当第一晶体管TFT1关闭时，电容Cs与第二晶体管TFT2形成回路，之前存储在电容Cs中的数据信号Vdata使得第二晶体管TFT2导通直至下一个扫描信号的到来。由于晶体管TFT的个体特性差异以及OLED器件老化而产生的阈值电压漂移易造成的面板的Mura缺陷。Mura缺陷是指显示亮度不均匀，造成各种痕迹的现象，Mura缺陷严重的制约着2T1C OLED驱动结构的显示效果。

近年来，本领域技术人员提出了一些补偿电路，如：3T2C驱动结构(中国实用新型201310713291.4、中国实用新型201010522417.6)、4T1C驱动结构(中国实用新型201310259473.9)、5T2C驱动结构(中国实用新型201310009175.4)、6T1C驱动结构(中国实用新型201310341693.6)，这些补偿电路在一定程度上能有效的改善TFT的特性差异以及阈值电压漂移，但同时也存在着如开口率低等诸多局限性。开口率是指除去每一个像素的配线部晶体管部(通常采用黑色矩阵隐藏)后的光线通过部分的面积和每一个像素整体的面积之间的比例。开口率越高，光线通过的效率越高，显示效果越好。由于上述3T2C驱动结构、4T1C驱动结构、6T1C驱动结构这些像素驱动结构较为复杂，大幅度的牺牲了像素开口率，严重影响了显示效果。

发明内容

针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种改善OLED面板Mura缺陷的像素驱动电路，在不牺牲2T1C OLED驱动结构像素开口率的基础上，改善由于TFT的特性差异以及阈值电压漂移而造成的面板Mura缺陷。

为实现上述目的，本实用新型所设计的改善OLED面板Mura缺陷的像素驱动电路，包括扫描驱动模块、信号驱动模块、第一晶体管、信号储存电容和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极与扫描驱动模块相连，所述第一晶体管的第二电极与信号驱动模块相连，所述第一晶体管的第三电极分别与信号储存电容和第二晶体管的栅极相连；所述信号储存电容的另一端接地；所述第二晶体管的第二电极与OLED发光单元的阴极相连，所述OLED发光单元的阳极与VDD相连，其特殊之处在于，还包括闭环恒流镜驱动模块；所述闭环恒流镜驱动模块包括运算放大器、NMOS管和恒流电阻，所述NMOS管的漏极与第二晶体管的第三电极相连，所述NMOS管的栅极与运算放大器的输出端相连，所述NMOS管的源极经恒流电阻接地，所述恒流电阻与NMOS管的源极相连的一端与运算放大器的反向输入端相连。

进一步地，所述像素驱动电路包括n个支路，每个支路包括第一晶体管、信号储存电容、第二晶体管和NMOS管，每个所述NMOS管的漏极分别与对应的第二晶体管的第三电极相连，每个所述第二晶体管的第二电极与一个OLED发光单元的阴极相连，每个所述NMOS管的栅极相连，每个所述NMOS管的源极相连。

更进一步地，所述第二晶体管的第三电极与OLED发光单元的阳极相连，所述OLED发光单元的阴极与NMOS管的漏极相连。

本实用新型的原理为：所述运算放大器同相输入端的电压由外部供电模块提供，流经恒流电阻的电流可以由下式确定：

所述NMOS管的漏极可以同时与N个像素电路第二晶体管的第三电极相连，则流过每一个像素电路OLED发光单元的电流可以由下式确定：

因此通过改变所述运算放大器同相输入端的电压即驱动电压值V就可以改变通过OLED发光单元的电流大小和灰度等级。