[实用新型]一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路有效
申请号: | 201420555553.9 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN204145425U | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 陈伟 | 申请(专利权)人: | 厦门优迅高速芯片有限公司 |
主分类号: | H03G3/30 | 分类号: | H03G3/30 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 杨依展 |
地址: | 361000 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 能够 实现 自动增益控制 放大 电路 | ||
1.一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路,其特征在于包括:
跨阻放大前端电路,所述跨阻放大前端电路将输入的电流信号转换为电压信号,包括第一开关管(Q0)和第二开关管(Q1)以及第一MOS管(M0);所述第一开关管(Q0)的集电极与第二开关管(Q1)的基极连接;所述第一开关管(Q0)的基极通过跨阻(Rf)与第二开关管(Q1)的发射极连接;所述第一MOS管(M0)的源极与所述第一开关管(Q0)的基极连接,所述第一MOS管(M0)的漏极与所述第一开关管(Q0)的集电极连接;
分相电路,所述分相电路与所述跨阻放大前端电路的输出端连接,将所述跨阻放大前端电路输出的单端电压信号转化成差分电压信号;
AGC反馈网络,所述AGC反馈网络包括峰值检测电路和比较电路;所述峰值检测电路检测来自所述分相电路输出的差分电压信号,并输出一个直流电压;所述比较电路检测所述峰值检测电路输出的直流电压,并与参考电平(VREF)比较;所述比较电路的输出端与所述第一MOS管的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路,其特征在于:所述第一MOS管(M0)为NMOS管,其漏极的电压和源极电压接近相等,当栅极电压发生变化时,所述所述第一MOS管(M0)的漏源电阻发生改变,从而改变了跨阻放大前端电路的环路增益,进而改变了跨阻增益。
3.根据权利要求1所述的一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路,其特征在于:所述跨阻放大前端电路还包括第三开关管(Q2),所述第三开关管(Q2)的基极与所述第一开关管(Q0)的集电极连接;所述第三开关管(Q2)的集电极与第二开关管(Q1)的基极连接。
4.根据权利要求3所述的一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路,其特征在于:所述跨阻前端放大电路还包括第二MOS管(M1),所述第二MOS管(M1)与所述跨阻(Rf)并联。
5.根据权利要求1所述的一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路,其特征在于:所述第一开关管(Q0)和第二开关管(Q1)为三极管。
6.根据权利要求3所述的一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路,其特征在于:所述第一开关管(Q0)、第二开关管(Q1)和第三开关管(Q2)为三极管。
7.一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路,其特征在于包括:
跨阻放大前端电路,所述跨阻放大前端电路将输入的电流信号转换为电压信号,包括第一开关管(Q0)和第二开关管(Q1)以及第一MOS管(M0);所述第一开关管(Q0)的漏极与第二开关管(Q1)的栅极连接;所述第一开关管(Q0)的栅极通过跨阻(Rf)与第二开关管(Q1)的源极连接;所述第一MOS管(M0)的源极与所述第一开关管(Q0)的栅极连接,所述第一MOS管(M0)的漏极与所述第一开关管(Q0)的漏极连接;
分相电路,所述分相电路与所述跨阻放大前端电路的输出端连接,将所述跨阻放大前端电路输出的单端电压信号转化成差分电压信号;
AGC反馈网络,所述AGC反馈网络包括峰值检测电路和比较电路;所述峰值检测电路检测来自所述分相电路输出的差分电压信号,并输出一个直流电压;所述比较电路检测所述峰值检测电路输出的直流电压,并与参考电平(VREF)比较;所述比较电路的输出端与所述第一MOS管的栅极连接。
8.根据权利要求7所述的一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路,其特征在于:所述第一MOS管(M0)为NMOS管,其漏极的电压和源极电压接近相等,当栅极电压发生变化时,所述所述第一MOS管(M0)的漏源电阻发生改变,从而改变了跨阻放大前端电路的环路增益,进而改变了跨阻增益。
9.根据权利要求7所述的一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路,其特征在于:所述跨阻放大前端电路还包括第三开关管(Q2),所述第三开关管(Q2)的源极与所述第一开关管(Q0)的漏极连接;所述第三开关管(Q2)的漏极与第二开关管(Q1)的栅极连接。
10.根据权利要求1所述的一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路,其特征在于:所述第一开关管(Q0)和第二开关管(Q1)为MOS管。
11.根据权利要求9所述的一种能够实现自动增益控制的跨阻放大电路,其特征在于:所述第一开关管(Q0)、第二开关管(Q1)和第三开关管(Q2)为MOS管。
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