[实用新型]一种基于PCB工艺的超宽带微波低噪声放大器

权利要求书

1.一种基于PCB工艺的超宽带微波低噪声放大器，其特征在于，由三级相同的放大器（A1、A2、A3）级联组成，第一级放大器A1的输入端、第三级放大器A3的输出端及各放大级之间均使用相同的超宽带电容（C1、C2、C3、C4）隔直流；微波PCB （5）背面导体与腔体（1）使用导电胶粘接，射频绝缘子（2）、馈电绝缘子（4）的外导体与腔体（1）使用锡铅焊料焊接；射频绝缘子（2）的内导体一端与微波PCB（5）上的微带导体焊接，射频绝缘子（2）的内导体的另一端与SMA连接器（3）的弹性内导体电连接；馈电绝缘子（4）的内导体一端与微波PCB （5）上的焊盘通过导线焊接，馈电绝缘子（4）的内导体的另一端与电源板焊接；腔体（1）的内腔宽度不超过最高工作频率信号波长的二分之一。

2.根据权利要求1所述的基于PCB工艺的超宽带微波低噪声放大器，其特征在于，所述放大器的结构为：低噪声场效应管芯（T）位于微波PCB （5）的开槽内且使用导电胶与腔体（1）粘接，低噪声场效应管芯左边的栅极焊盘通过两根金丝与微波PCB （5）上的微带电路键合，低噪声场效应管芯右边的漏极焊盘使用两根金丝与微波PCB（5）上的微带电路键合，低噪声场效应管芯中间上下两个源极焊盘分别使用三根金丝与腔体表面直接键合；反馈电阻（Rfb）、反馈电容（Cfb）、反馈电感（Lfb）、栅极馈电电阻（R1）、栅极退耦电容、漏极馈电电感（Lc）、漏极馈电退耦电容均使用导电胶与微波PCB（5）上的电路粘接，反馈电容（Cfb）上表面电极使用金丝键合连接到栅极微带电路；微波PCB （5）上的微带电路（5a）构成低通匹配电路；栅极电压（Vg）和漏极电压（Vd）由微波PCB （5）背面的电源板提供。

3.根据权利要求2所述的基于PCB工艺的超宽带微波低噪声放大器，其特征在于，所述反馈电阻（Rfb）为表贴电阻，尺寸为0.508mm*0.254mm。

4.根据权利要求2所述的基于PCB工艺的超宽带微波低噪声放大器，其特征在于，所述反馈电容（Cfb）为单层电容，尺寸为0.254mm*0.254mm。

5.根据权利要求1所述的基于PCB工艺的超宽带微波低噪声放大器，其特征在于，所述超宽带电容由单层电容（Cs）和多层电容（Cm）并联构成。

6.根据权利要求5所述的基于PCB工艺的超宽带微波低噪声放大器，其特征在于，微波PCB（5）上与宽带电容相关的微带导体加工有缝隙，缝隙将微带导体分隔为第一微带导体（5c）和第二微带导体（5b）之间，单层电容（Cs）下表面电极与第二微带导体（5b）之间用导电胶粘接，粘接好的单层电容（Cs）上表面电极使用键合金丝（7）与第一微带导体（5c）连接；多层电容（Cm）其中一端的电极与单层电容（Cs）的上表面电极之间用导电胶粘接，多层电容（Cm）另一端的电极与第二微带导体（5b）之间用导电胶粘接。

7.根据权利要求5或6所述的基于PCB工艺的超宽带微波低噪声放大器，其特征在于，所述多层电容（Cm）为0201封装尺寸的二类介质电容。