[实用新型]一种中子源防护罐有效
申请号: | 201420548906.2 | 申请日: | 2014-09-23 |
公开(公告)号: | CN204189465U | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 李小明;罗晓渭;郭俊;郭朝选;张铻 | 申请(专利权)人: | 中国辐射防护研究院 |
主分类号: | G21F3/00 | 分类号: | G21F3/00 |
代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 田明;任晓航 |
地址: | 030006 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 中子源 防护 | ||
技术领域
本实用新型属于辐射防护设备领域,具体涉及一种中子源防护罐,用于解决中子屏蔽问题。
背景技术
随着核能技术的发展应用,越来越多的中子源装置在物理、生物、化学、医药、工程、石油勘探、核工业、以及工业生产中材料探伤、测井、活化分析等领域有了更广泛的用途,由此带来的辐射安全与防护问题也变得越来越重要。由于中子的穿透性极强,会对人体、环境、仪器设备等产生较强的辐射损伤,程度严重的直接威胁到人员生命安全和仪器设备的正常工作,所以对中子源进行良好地屏蔽,避免出现辐射安全问题,是使中子源更好地服务于人类的有效手段。对中子的屏蔽一般通过轻元素慢化快中子至较低能量,再使用硼、锂、镉等材料进行吸收,以达到减低屏蔽体外中子剂量至安全水平的目的。本中子源防护罐采用快中子慢化层、热中子吸收层和γ射线屏蔽层等多层复合屏蔽,可有效屏蔽中子源产生的热中子、快中子以及γ射线,有效防止中子辐射对职业工作人员和公众产生辐射危害和损伤。本中子源防护罐中子防护结构具有防护性能优、结构可靠、可适用于有温差较大的环境等优点,同时具有良好的物理性能和机械性能,在辐射防护领域具有良好的推广应用价值。
实用新型内容
针对现有技术中存在的缺陷,本实用新型提供一种中子源防护罐,该防护罐能够对罐内的中子以及在吸收中子的过程中产生的γ射线进行屏蔽,有效防工作人员和公众受到危害和损伤;防护性能好,结构可靠。
为达到以上目的,本实用新型采用的技术方案是:提供一种中子源防护罐,该防护罐包括罐体和盛装容器,所述罐体上端具有开口,所述盛装容器的中下部从罐体开口插入罐体内,所述盛装容器的底端和外围均设有中子慢化层,所述中子慢化层外围设有热中子吸收层,热中子吸收层的外围设有γ射线屏蔽层。
进一步,所述中子慢化层为含硼聚乙烯层,所述热中子吸收层为镉层,所述γ射线屏蔽层为铅层。
进一步,所述含硼聚乙烯屏蔽层与盛装容器内壁之间设有间隙。
进一步,所述含硼聚乙烯屏蔽层与镉层采用粘接连接。
进一步,所述镉层与铅层采用粘接连接。
进一步,所述罐体包括外壁和底盖,所述外壁和底盖形成密闭体。
进一步,所述罐体的两侧设有搬运环。
本实用新型的有益技术效果在于:
(1)本实用新型通过采用多层防护的方式,实现对中子以及在吸收中子的过程中产生的γ射线的屏蔽;防止中子辐射对职业工作人员和公众产生辐射危害和损伤。
(2)本实用新型中子源防护罐,防护性能优、结构可靠;可适用于有温差较大的环境,同时具有良好的物理性能和机械性能。
附图说明
图1是本实用新型中子源防护罐的结构示意图。
图中:
1-底盖 2-外壁 3-搬运环 4-含硼聚乙烯层 5-镉层
6-铅层 7-盛装容器
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的描述。
如图1所示,是本实用新型提供的中子源防护罐。该防护罐包括上端具有开口的罐体和盛装容器7,该盛装容器7的中上部通过罐体的开口插入罐体内,盛装容器7内具有中子源。这里的盛装容器7为不锈钢管,选用不锈钢的材质为0Cr18Ni10Ti,内表面易于清洗和去污。
为了对盛装容器7内的中子进行慢化,盛装容器7的底端和外围均设有快中子慢化层。该快中子慢化层可采用含硼聚乙烯层4,即起到慢化的作用还能对慢化后产生的热中子具有良好的吸收作用。当然,本实用新型的快中子慢化层不限于含硼聚乙烯层,只要对快中子具有慢化作用的覆盖层均可。
为了对慢化后的热中子更好的吸收,快中子慢化层的外围设有热中子吸收层。该热中子吸收层采用镉层5。当然,本实用新型不仅限于镉层,只要对热中子具有吸收作用的覆盖层均可。
为了对吸收中子的过程中产生的γ射线进行屏蔽,热中子吸收层的外围设有γ射线屏蔽层。该γ射线屏蔽层采用铅层6。当然,本实用新型不限于铅层,只要对γ射线进行屏蔽的覆盖层均可。
虽然铅层对γ射线进行屏蔽的效果很好,但具有一定的毒性,所以整个屏蔽层外设有不锈钢密闭包覆层,以保证紧固性和气密性,以确保毒物不会进入周围的环境中。其中,罐体包括外壁2和底盖1,外壁2和底盖1采用氩弧焊焊接成密闭体。在焊接时应注意焊接工艺,保证变形量满足要求,此外在焊接过程中注意对屏蔽层的保护,避免因局部焊接温度过高造成对屏蔽层的破坏。
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