[实用新型]一种晶体原料烧结炉有效
申请号: | 201420536702.7 | 申请日: | 2014-09-18 |
公开(公告)号: | CN204111912U | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 王昌运;陈伟 | 申请(专利权)人: | 福建福晶科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350003 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 原料 烧结炉 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种晶体材料领域,尤其涉及一种晶体原料烧结炉。
背景技术
单晶材料的制备涉及到原料合成和晶体生长过程。原料的合成直接影响单晶的生长质量。常规原料合成采用两个坩埚,一个化料坩埚,一个装料坩埚。首先把原料装满化料坩埚放入烧结炉烧结,待反应完全后,取出化料坩埚趁高温原料未凝结,把液体马上倒入装料坩埚,多次重复这个步骤,直至全部原料烧结完成。这种方式存对高温取出坩埚安全操作要求高,同时分次化料倒料存在原料组分易偏离,影响晶体生长质量。
发明内容
本实用新型的目的在于提出一种晶体原料烧结炉,只要一个坩埚,简单操作,省去高温取锅倒料过程,安全性高,同时可以有效降低晶体原料组分偏离,提高晶体生长质量。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:
本实用新型的晶体原料烧结炉,在原有晶体原料烧结炉的正上方增加一个圆孔和保温盖,配置一个铂金加料管。
本实用新型的有效益果是:原料加料时打开保温盖,插入铂金管至坩埚中,往铂金管中加入原料,加好取出铂金管,盖上保温盖,待反应完全后,重复上述步骤直至原料合成完毕,降低烧结炉温度至室温,取出坩埚放入生长炉中生长。
附图说明
图1是本实用新型晶体原料烧结炉示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步说明:
实施方式一:
如图1所示,在化料炉上方开出一个圆孔,在化料炉里面放置一个铂金坩埚,设置好化料温度,升温至化料温度,从圆孔中插入铂金管,往铂金管中加入原料,原料顺着铂金管进入铂金坩埚,加完一次原料取出铂金管,盖上保温盖,直至原料反应完全;取出保温盖,重复以上步骤,插入铂金管,加入原料,加完原料取出铂金管,盖上保温盖直至原料反应完全,不断重复以上过程直至原料全部化完,降温直至室温,取出坩埚,放入生长炉生长晶体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建福晶科技股份有限公司,未经福建福晶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420536702.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:弯曲装置
- 下一篇:一种草莓首乌复合饮料及其制备方法