[实用新型]触控面板

权利要求书

1.一种触控面板，其包括多条沿第一方向上间距排列的第一纳米银线电极串，多条沿第二方向上间距排列的第二纳米银线电极串，所述多条第一纳米银线电极串与所述多条第二纳米银线电极串相互绝缘，其特征在于：所述各第一纳米银线电极串包含多条分支，所述多条分支间界定出至少一非导电区，所述多条分支在所述触控面板上规则分布。

2.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：在所述各第一纳米银线电极串与所述各第二纳米银线电极串的交叠区域内设置有一个或多条断线区，所述各断线区设置在所述各第一纳米银线电极串或所述各第二纳米银线电极串上。

3.如权利要求2所述的触控面板，其特征在于：所述各断线区可为矩形条状、S形折回状、圆形或不规则形状中的其中一种或多种。

4.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述各第二纳米银线电极串包括多条第二纳米银线子电极串，所述多条第二纳米银线子电极串并联设置。

5.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述各第一纳米银线电极串为“U”形、“E”形、指叉形或“回”字形。

6.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述各第一纳米银线电极串包含一第一侧壁及一第二侧壁，所述两相邻第二侧壁界定的非导电区的宽幅为W，所述两相邻第一纳米银线电极串于所述两相邻第一侧壁之间的距离为H，位于最外侧的所述第一纳米银线电极串的一第一侧壁与所述第二纳米银线电极串边界的距离长度为T，所述各第一纳米银线电极串的所述多条分支具有相等宽度d1，W＝H或T＝W＝H或T＝W＝H＝d1或W与H之比为1：(0.5-2)。

7.如权利要求4所述的触控面板，其特征在于所述各第二纳米银线子电极串的宽度为s2,位于所述非导电区两侧的所述第一纳米银线电极串分支具有相等宽度d2，s2与d2比值为1：(1-2.5)。

8.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述第一纳米银线电极串的每一分支宽度为20-100μm，优选为40μm-80μm，所述第二纳米银线电极串宽度为180-360μm。

9.如权利要求1-8任一项所述的触控面板，其特征在于：所述各第一纳米银线电极串和/或所述各第二纳米银线电极串边缘为粗糙毛边，其转角处为圆弧转角结构。

10.如权利要求1-8任一项所述的触控面板，其特征在于：所述触控面板进一步包括多条接地电极串，所述多条接地电极串分别与所述多条第一纳米银线电极串和所述多条第二纳米银线电极串绝缘设置，并对应所述第二纳米银线电极串之间的间隙设置，所述各第一纳米银线电极串和/或所述各第二纳米银线电极串，和/或所述各接地电极串边缘为粗糙毛边且其转角处为圆弧转角结构。

11.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述触控面板进一步包括一上基板与一基材层，所述各第一纳米银线电极串与所述各第二纳米银线电极串分别形成于所述基材层的上表面与下表面，所述各第一纳米银线电极串设置在所述上基板与所述基材层之间，所述上基板与所述各第一纳米银线电极串间另设有一高折射率层。

12.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述触控面板进一步包括一上基板与一基材层，所述各第一纳米银线电极串设置在所述上基板表面，所述各第二纳米银线电极串设置在所述基材层表面，所述上基板与所述基材层间另设有一高折射率层。

13.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述触控面板进一步包括一上基板，一第一基材层与一第二基材层，所述第一基材层设置在所述上基板与所述第二基材层之间，所述各第一纳米银线电极串与所述各第二纳米银线电极串分别设置在所述第一基材层与所述第二基材层上，所述第一基材层或所述第二基材层或所述多条第一纳米银线电极串或所述多条第二纳米银线电极串表面设置有一高折射率层。

14.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于：所述触控面板进一步依次包括一上基板，一上基材层，一上偏光片，一液晶层，一下偏光片以及一下基材层，所述上基板一侧为触控面，另一侧为组件安装面，所述多条第一纳米银线电极串与所述多条第二纳米银线电极串设置在所述上基板的所述组件安装面、所述上基材层的上/下表面、所述上偏光片上/下表面、所述下偏光片上/下表面、所述下基材层的上/下表面的其中一组合中的两个表面上，所述上基板与所述下基材层间另设有一高折射率层。