[实用新型]垂直结构的可控硅型部件有效
| 申请号： | 201420524534.X | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN204289459U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | S·梅纳德 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 可控硅 部件 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直结构的可控硅型部件，其特征在于，具有在第一导电类型的硅区域上形成的主上部电极，所述硅区域本身形成在第二导电类型的硅层中，其中所述区域在如下部位中被中断：
其中所述层的材料与所述电极接触的第一部位，以及
由在所述层与所述电极之间延伸的电阻性多孔硅制成的第二部位。
2.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，所述第二部位的厚度大于所述区域的厚度。
3.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，所述多孔硅在25℃下的电阻率在从103至104Ω.cm的范围内。
4.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，所述第一部位和所述第二部位规则地分布在所述区域的表面之上。
5.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，所述第一部位的数目等于所述第二部位的数目。
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