[实用新型]智能锁触摸按键的抗静电电路

说明书

技术领域

 本实用新型涉及智能门锁应用领域，尤其涉及一种智能锁触摸按键的抗静电电路。

背景技术

目前市场上的触摸按键产品应用越来越广泛，智能锁从传统机械按键到触摸按键使用也逐步推开，但有些锁在按键使用过程中或者打静电测试时，会出现触发按键无响应的情况，这些问题都可能是电路设计的时候，电路板抗静电能力太差导致，而这些问题的出现直接导致触摸按键无法正常使用。

发明内容

针对上述技术中存在的不足之处，本实用新型提供一种智能锁触摸按键的抗静电电路，该电路能够避免触摸按键因人体携带的静电导致智能锁无法正常使用的问题，提高了触摸按键的稳定性和使用寿命。

为实现上述目的，本实用新型提供一种智能锁触摸按键的抗静电电路，包括触摸按键、用于吸收经人体传导过来的静电的磁珠、用于瞬间突波抑制的瞬态抑制二极管、用于调节按键灵敏度的第一灵敏度调节器和用于检测触摸按键是否有手指按压的MCU主控器；所述触摸按键通过磁珠电连接至瞬态抑制二极管的一端，所述瞬态抑制二极管的另一端接地，所述MCU主控器的输入端与第一灵敏度调节器的一端所形成的公共点电连接至瞬态抑制二极管的一端，所述第一灵敏度调节器的另一端接地，所述MCU主控器的输出端与外围主控设备连接。

其中，该电路还包括降低瞬间静电对MCU主控器干扰的电阻，所述MCU主控器的输入端与第一灵敏度调节器的一端所形成的公共点通过电阻电连接至瞬态抑制二极管的一端。

其中，所述MCU主控器的工作电压电连接至供电电压，且所述供电电压与工作电压的公共点电连接至第二灵敏度调节器的一端，且所述第二灵敏度调节器的另一端接地。

其中，所述MCU主控器的监测管脚电连接至供电电压，且所述监测管脚与供电电压的公共点电连接至第三灵敏度调节器的一端，且所述第三灵敏度调节器的另一端接地。

其中，所述MCU主控器的内部设有用于保存监测管脚监测到触摸按键状态的RAM单元，且所述RAM单元通过IIC接口与外围主控设备连接。

本实用新型的有益效果是：与现有技术相比，本实用新型提供的智能锁触摸按键的抗静电电路，在正常工作状态下，瞬态抑制二极管对受保护的线路呈高阻抗状态，当瞬间电压超过其击穿电压时，即是磁珠吸收经人体传导过来的静电后，瞬态抑制二极管就提供一个低阻抗的路径予瞬间电流，使得流向MCU主控器的瞬间电流转而分流到瞬态抑制二极管，而MCU主控器两端的电压被限制在瞬态抑制二极管两端的箝制电压；当这个过压条件消失后， 瞬态抑制二极管又将恢复到高阻抗状态。该电路的改进能够避免触摸按键因人体携带的静电导致智能锁无法正常使用的问题，提高了触摸按键的稳定性和使用寿命；同时，灵敏度调节器的增设，可实时调节触摸按键的灵敏度，进一步提高了触摸按键工作的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型的智能锁触摸按键的抗静电电路的工作方框图。

具体实施方式

为了更清楚地表述本实用新型，下面结合附图对本实用新型作进一步地描述。

请参阅图1，本实用新型的智能锁触摸按键的抗静电电路，包括触摸按键Ty、用于吸收经人体传导过来的静电的磁珠L、用于瞬间突波抑制的瞬态抑制二极管TVS、用于调节按键灵敏度的第一灵敏度调节器CAP1和用于检测触摸按键Ty是否有手指按压的MCU主控器U；触摸按键Ty通过磁珠L电连接至瞬态抑制二极管TVS的一端，瞬态抑制二极管TVS的另一端接地，MCU主控器U的输入端与第一灵敏度调节器CAP1的一端所形成的公共点电连接至瞬态抑制二极管TVS的一端，第一灵敏度调节器CAP1的另一端接地，MCU主控器U的输出端与外围主控设备10连接。外围主控设备10用户读取按键数据。

相较于现有技术的情况，本实用新型提供的智能锁触摸按键的抗静电电路，在正常工作状态下，瞬态抑制二极管TVS对受保护的线路呈高阻抗状态，当瞬间电压超过其击穿电压时，即是磁珠L吸收经人体传导过来的静电后，瞬态抑制二极管TVS就提供一个低阻抗的路径予瞬间电流，使得流向MCU主控器U的瞬间电流转而分流到瞬态抑制二极管TVS，而MCU主控器U两端的电压被限制在瞬态抑制二极管TVS两端的箝制电压；当这个过压条件消失后， 瞬态抑制二极管TVS又将恢复到高阻抗状态。该电路的改进能够避免触摸按键因人体携带的静电导致智能锁无法正常使用的问题，提高了触摸按键的稳定性和使用寿命；同时，灵敏度调节器的增设，可实时调节触摸按键的灵敏度，进一步提高了触摸按键工作的稳定性。