[实用新型]一种改进的电容式触摸屏

说明书

技术领域

本实用新型涉及触摸屏结构技术领域，具体是一种改进的电容式触摸屏。 

背景技术

现有的电容式触摸屏传感器无论是基于玻璃基板还是基于薄膜基材的结构，电容触摸功能是在玻璃基板或者薄膜上溅射各种导电膜并制作电路后获得。在适用性上薄膜基材由于无法耐受高温，相对于玻璃基板产品适用范围较局限。玻璃基板的薄度关系到产品性能、生产成本等，但由于其硬脆特性，对于制成的玻璃基板的薄化程度及相应结构需要通过实验实践，使其得到性能保证的同时又能拥有良好质量，如授权公告号为CN 202795316 U的专利文件公开的一种电容式触摸屏，从材料上做了替换虽大大降低了成本，却无法带来良好的性能。 

实用新型内容

本实用新型的技术目的在于提供一种改进的电容式触摸屏，解决上述技术问题。 

本实用新型的具体技术方案如下：一种改进的电容式触摸屏，包括玻璃基板，所述玻璃基板的厚度为0.15~0.2mm，还包括设于所述玻璃基板上表面的第一导电膜、设于所述第一导电膜上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第二导电膜、设于所述第二导电膜上的上保护层和设于所述玻璃基板下表面的下保护层，所述第一导电膜上设有第一电路线及第一电容图形，所述第二导电膜上设有第二电路线及第二电容图形。 

本实用新型的玻璃基板厚度达到0.15~0.2mm，做到了玻璃基板超薄的特性，兼顾了化学稳定性、可镀膜性、透光性等性能，产品质量大大提升，成本投入降低，所述上保护层及所述下保护层适应并保护所述玻璃基板，在保证性能的基础上又保证其耐用性。 

作为优选，所述第二导电膜与所述上保护层之间还设有第二绝缘层。 

作为优选，所述上保护层与所述第二绝缘层之间、所述下保护层与所述玻璃基板之间分别设有光学连接层。 

作为优选，所述上保护层与所述第二绝缘层之间设有遮光体。 

作为优选，所述下保护层与所述玻璃基板的之间设有接地件。 

作为优选，所述上保护层及所述下保护层均为具有拉伸性能的软性记忆层。 

作为优选，所述第一导电膜的厚度为25~40nm，所述第一导电膜可选用ITO导电膜。 

作为优选，所述第二导电膜的厚度为130~140nm或200~300nm。所述第二导电膜可选用ITO导电膜或金属导电膜，当选用ITO导电膜时，所述第二导电膜的厚度可定在130~140nm范围内；当选用金属导电膜时，所述第二导电膜的厚度可定在200~300nm范围内。 

作为优选，所述第一绝缘层的厚度为1~2um。 

作为优选，所述第二绝缘层的厚度为1~2um。 

所述第一绝缘层及所述第二绝缘层可选用二氧化硅层。 

本实用新型的技术优点在于所述改进的电容式触摸屏结构简单、使用方便、性能优异，应变度高，环境适应性好，无气泡或杂物，透光率提高，可通过镀膜形成各种导电膜玻璃，产品成本投入相对减少且整体结构牢固而耐用性好。 

附图说明

图1为本实用新型实施例的结构示意图； 

图中编号对应的各部位名称分别为：1-玻璃基板，2-第一导电膜，3-第一绝缘层，4-第二导电膜，5-第二绝缘层，6-上保护层，61-遮光体，7-下保护层，71-接地件，8-光学连接层,。

具体实施方式

下面将结合附图，通过具体实施例对本实用新型作进一步说明： 

见图1，一种改进的电容式触摸屏实施例，加工出厚度为0.2mm的超薄玻璃基板1后，在玻璃基板1上沉积第一导电膜2如ITO导电膜，保持ITO导电膜的厚度在30nm之间，并蚀刻过桥、引线及电容图形等；在第一导电膜2上覆盖第一绝缘层3，保持第一绝缘层3的厚度为1.5 um；在90~225℃的温度条件下，在第一绝缘层3上沉积第二导电膜4如ITO导电膜或金属导电膜，ITO导电膜的厚度为135nm或金属导电膜的厚度为250nm，并蚀刻过桥点、引线及电容图形，再在第二导电膜4上固定连接柔性线路板及第二绝缘层5，第二绝缘层5的厚度为1.5 um。

第二绝缘层5上表面和所述玻璃基板1下表面还需分别覆盖上保护层6和下保护层7。上保护层6和下保护层7均为可适度弯折的软性记忆材料，配合玻璃基板1的柔韧度，上保护层6与第二绝缘层5之间、下保护层7与玻璃基板1之间通过光学连接层8固定连接，同时上保护层6与所述第二绝缘层5之间及下保护层7与玻璃基板1之间还可以增设有用于缓冲玻璃基板1所受外力的柔性材料层，起到一定保护作用。上保护层6与所述第二绝缘层5之间设有遮光体61，遮光体61一般为油墨或镀膜材料。下保护层7与玻璃基板1之间还设有用于屏蔽信号干扰的接地件71。上述电容式触摸屏整体结构紧凑，环境适应性好，透光率高，成本降低，耐用性好。