[实用新型]一种用于开关电源的高压启动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种高压启动电路，尤其涉及一种用于开关电源的高压启动电路。

背景技术

用于开关电源的高压启动电路，如用于开关电源的LED驱动芯片的高压启动电路，其本质上是将整流桥整流过后的母线电压，通过芯片内部超高压晶体管等元件结构，降低电压到5V的标准直流电压，满足芯片内部电路供电，实现芯片上电工作的需求。由于母线电压较高，所以芯片内部还包括保护元器件或特殊结构单元，以防止芯片上电过程中的母线电压对其他元器件的损坏。

如图1所示，传统高压启动电路(通常称为“HV-StartUp”)由整流桥BR、输入电阻R和外置电容C(为高压电容)构成，整流桥BR的正极输出端与输入电阻R和外置电容C串联后与整流桥BR的负极输出端连接，输入电阻R和外置电容C之间的节电为所述高压启动电路的正极输出端UO，整流桥BR的负极输出端也作为所述高压启动电路的负极输出端。其工作原理为：交流电压上电时，整流桥BR通过串联电阻给外置电容C充电，实现30V左右的直流电压转换，该电压直接供给芯片内部工作。待芯片环路建立后，通过辅助绕组继续给外部高压电容周期性补充电荷，满足芯片持续工作要求。

上述传统高压启动电路的缺陷在于：输入电阻R始终会给外置电容C补充部分电荷，系统功耗大，不能满足较高的能耗标准，且增加了外部芯片内部的保护元器件个数，提高了应用成本。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种能够控制输出电压的用于开关电源的高压启动电路。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：

一种用于开关电源的高压启动电路，包括整流桥和外置电容，还包括第一场效应管～第四场效应管、第一电阻～第四电阻、可控硅整流器和二极管，所述整流桥的正极输出端分别与所述第一场效应管的漏极和所述可控硅整流器的负极连接，所述第一场效应管的栅极串联所述第一电阻后分别与所述第一场效应管的源极、所述第二电阻的第一端、所述第三场效应管的漏极和所述第四场效应管的漏极连接，所述第二电阻的第二端与所述第二场效应管的漏极连接，所述第二场效应管的栅极分别与所述第二场效应管的源极、所述第三电阻的第一端和所述外置电容的第一端连接并作为所述高压启动电路的正极输出端，所述第四场效应管的栅极分别与所述二极管的负极、所述第三电阻的第二端和所述第四电阻的第一端连接，所述整流桥的负极输出端分别与所述可控硅整流器的正极、所述第三场效应管的栅极、所述第三场效应管的源极、所述第四场效应管的源极、所述二极管的正极、所述第四电阻的第二端和所述外置电容的第二端连接并作为所述高压启动电路的负极输出端。

上述结构中，第一场效应管作为超高压功率启动管，为MOS管；第二场效应管为高压寄生二极管；第三场效应管作为低压静电保护，为NMOS管；第四场效应管作为高压使能管，为MOS管；第三电阻和第四电阻作为电压检测电阻。

工作时，当交流电压上电以后，第一场效应管导通并通过第一电阻、第二电阻和第二场效应管给外置电容充电；充电电压达到一定值如5伏时，第三电阻和第四电阻反馈检测电压到第四场效应管的栅极，此时第四场效应管导通并将第一场效应管的栅极电压拉低，从而关闭第一场效应管，完成外部芯片内部供电的上电过程。

本实用新型的有益效果在于：

由于本实用新型能够在外置电容电压达到一定值如5V时，不再对外置电容补充电荷，所以系统功耗低，能满足较高的能耗标准，且能够减少外部芯片内部的保护元器件个数，降低了应用成本。

附图说明

图1是传统高压启动电路的电路图；

图2是本实用新型所述用于开关电源的高压启动电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：