[实用新型]一种瞬态抑制二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及二极管制造领域，更具体地说，涉及一种瞬态抑制二极管。

背景技术

瞬态电压抑制二极管(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)简称TVS。它是为了解决电子设备中电路通断、静电放电以及电磁干扰产生的电压瞬变和电流浪涌等问题而设计出的一种高性能保护用器件，是电子电路中最重要的电子元器件之一，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10^-12秒量级的速度将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏，已广泛地应用于各种民用和军用电子产品中。特别是在航天、航空和军用装备等领域的应用中，对瞬态抑制二极管的功率、稳定性、可靠性的要求越来越高。参考文献：徐桂善.瞬态电压抑制器TVS的特性及应用，世界电子元器件，1999(6)。

现有技术中瞬态抑制二极管封装简单，散热性和稳定性较差，对极限温差范围内重复循环器件容易失效，芯片容易造成损坏，特别是对于航空、航天和军用装备等领域对环境要求较高的领域，元件稳定性和可靠性都达不到要求，容易损失。

实用新型内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的散热差，稳定性和可靠性差的问题，本实用新型提供了一种瞬态抑制二极管，它可以实现一种新型、简单的大功率微电子封装，确保在极限温差范围内重复循环保持器件不失效和芯片不破裂，提高瞬态抑制二极管的稳定性和可靠性。

2.技术方案

本实用新型的目的通过以下技术方案实现。

一种瞬态抑制二极管，包括芯片、焊片一、封装体、散热块、保护基片一、引线和底板，保护基片一有两片，引线一端的上表面通过焊片一与散热块相连接，下表面通过焊片一与保护基片一相连接；二极管下部有底板，底板通过焊片二与保护基片二连接；

芯片有两片，上下两个保护基片一通过两个焊片二与一片芯片连接，下方的保护基片一和保护基片二通过两个焊片二与另一片芯片连接；所述的封装体将两片芯片、焊片一、焊片二、保护基片一、保护基片二和底板封装于其内部，封装体上部有孔，散热块置于孔内，散热块顶部与封装体顶部齐平，引线位于封装体外部一端与底板齐平。

封装体材料为环氧树脂。

芯片为瞬态抑制二极管芯片、肖特基芯片或者高压二极管芯片。

底板为铜底板或钼铜合金底板。

保护基片一和保护基片二均为镀镍钼片，钼的热膨胀系数较低可有效保护芯片。

焊片一和焊片二使用高温铅锡焊料制成。

3.有益效果

相比于现有技术，本实用新型的优点在于：

(1)由于采用有针对性的设计和材料，焊片可用融化温度在310℃左右的高温铅锡焊料，镀镍钼片，钼的热膨胀系数较低可有效保护芯片，确保本实用新型可以在极端温度条件下正常工作，环境适应性范围广，可以承受-50℃到+125℃的使用环境。

(2)本实用新型由于采用有针对性的设计和封装设计，采用铜底板或钼铜合金底板，散热性好，散热部位多，散热区域较大，特殊的封装，极限温差范围内重复循环保持器件不失效和芯片不破裂，有效保护了芯片，可以提高瞬态抑制二极管的稳定性和可靠性，使用寿命长。

附图说明

图1是一种瞬态抑制二极管的结构示意图；

图2是图1的俯视图；

图3是一种瞬态抑制二极管的内部结构图；

图4是图3的俯视图；

图5是图3的仰视图；

图6是一种瞬态抑制二极管的立体示意图。

图中标号说明：

1、散热块；2、焊片一；3、引线；4、保护基片一；5、芯片；6、保护基片二；7、底板；8、焊片二；9、封装体。

具体实施方式

下面结合说明书附图和具体的实施例，对本实用新型作详细描述。

实施例1