[实用新型]一种片式双芯片肖特基二极管

权利要求书

1.一种片式双芯片肖特基二极管，包括肖特基芯片、金丝和引线支架，其特征在于：所述肖特基芯片为两个结构完全相同的芯片晶粒，所述金丝直径为20μm、纯度为99.99%，所述引线支架为镀银支架，所述芯片晶粒与引线支架通过金丝焊接连接。

2.根据权利要求1所述片式双芯片肖特基二极管，其特征在于：所述晶粒包括：其衬底及硅外延层构成的外延片、欧姆接触电极、周边围有P＋环的势垒金属硅化物、势垒金属硅化物上的金属电极以及顶部钝化层，所述欧姆接触电极为镀覆在衬底底面的金层，所述硅外延层厚度为1-10μm。

3.根据权利要求1所述片式双芯片肖特基二极管，其特征在于：所述金丝与镀银支架焊功能区焊接连接，焊接温度为220-280℃，金丝与支架焊接点呈完整鱼尾状，焊线拉力大于3g。

4.根据权利要求1、2或3所述片式双芯片肖特基二极管，其特征在于：所述二极管的封装方式为环氧树脂封装。