[实用新型]一种多级半导体温差电制冷组件有效
申请号: | 201420508779.3 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN204043235U | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 陈树山;阚宗祥 | 申请(专利权)人: | 陈树山 |
主分类号: | F25B21/02 | 分类号: | F25B21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 301500 天津市宁河县*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多级 半导体 温差 制冷 组件 | ||
1.一种多级半导体温差电制冷组件,包括陶瓷基体、导流片、N型半导体和P型半导体,其特征在于:所述多级半导体温差电制冷组件还包括导流条;所述多级半导体温差电制冷组件由第一级至第N级半导体温差电制冷组件叠加而成,层与层之间固结着陶瓷基体;所述陶瓷基体由下层高上层尺寸逐渐缩小成宝塔状;所述每一级之间的陶瓷基片采用双面金属化的设计方法;所述陶瓷基体合理有序的固结着导流片;所述N型半导体和P型半导体分别固结在导流片上,同时每一层内的N型半导体和P型半导体依次通过导流片串接在一起;所述层与层之间的半导体通过导流条连接;所述的整个组件内的N型半导体和P型半导体总是一次间隔串联连接的;所述的多级半导体温差电制冷组件的上一级由N型半导体和P型半导体组成的电偶对数不超过下面一级的60%。
2.根据权利要求1所述的多级半导体温差电制冷组件,其特征在于:所述的多级半导体温差电制冷组件的级数为2、3、4、5或6级。
3.根据权利要求1所述的多级半导体温差电制冷组件,其特征在于:所述的陶瓷基体与导流片之间的固结方式为焊接或烧结。
4.根据权利要求1所述的多级半导体温差电制冷组件,其特征在于:所述的导流片与半导体元件NP之间的固结方式为焊接。
5.根据权利要求1或2所述的多级半导体温差电制冷组件,其特征在于:所述的多级半导体温差电制冷组件为六级时,由底层到上层内部NP电偶对排列数量为127、71、31、17、7和2对;所述的多级半导体温差电制冷组件为五级时,由底层到上层内部NP电偶对排列数量为127、71、31、17和7对;所述的多级半导体温差电制冷组件为四级时,由底层到上层内部NP电偶对排列数量为127、71、31和17对;所述的多级半导体温差电制冷组件为三级时,由底层到上层内部NP电偶对排列数量为127、71和31对;所述的多级半导体温差电制冷组件为两级时,由底层到上层内部NP电偶对排列数量为127和71对。
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