[实用新型]一种高度集成的电磁双稳态MEMS继电器

权利要求书

1.一种高度集成的电磁双稳态MEMS继电器，包括基片和集成在基片上的电磁驱动系统、弹性支撑系统和永磁体，其特征在于：基片上还集成了信号切换系统；所述的电磁驱动系统包括多匝螺旋状平面线圈和封闭磁轭，封闭磁轭分布于平面线圈的中央、底部和边缘；所述的弹性支撑系统包括磁轭平台和叠置在磁轭平台上面的弹性平台以及与弹性平台的四边分别固定连接的四个悬臂梁，每个悬臂梁的另一端均与一个支撑结构固定连接；所述的永磁体位于弹性支撑系统的弹性平台的上表面；所述的信号切换系统包括静触点、动触点和两个外接信号线，所述的静触点位于电磁驱动系统的上表面，与一个外接信号线连接，所述的动触点位于弹性支撑系统的底部，与另一个外接信号线连接；在动触点与静触点之间存在由四个支撑结构支撑所形成的气隙。

2.如权利要求1所述的电磁双稳态MEMS继电器，其特征在于：线圈之间设有绝缘层，所述绝缘层的厚度为10～24μm。

3.如权利要求1所述的电磁双稳态MEMS继电器，其特征在于：所述平面线圈的形状为方形、矩形或圆形。

4.如权利要求1或3所述的电磁双稳态MEMS继电器，其特征在于：所述平面线圈为单层线圈，线圈的厚度为22～26μm，宽度为12～15μm。

5.如权利要求1所述的电磁双稳态MEMS继电器，其特征在于：所述的支撑结构设在电磁驱动系统与弹性支撑系统之间。

6.如权利要求1所述的电磁双稳态MEMS继电器，其特征在于：所述气隙的间距为155～165μm。