[实用新型]一种聚焦圆环及刻蚀反应腔

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及半导体中干法刻蚀反应腔中的聚焦圆环及刻蚀反应腔。

背景技术

在半导体行业，干法刻蚀是一种普遍运用的制造工艺。在干法刻蚀反应腔中有一部件为聚焦圆环，材质和晶圆一样，为单晶硅，安装在晶圆背面的下电极基座边缘，如图1所示，起到增大晶圆面积，提高晶圆刻蚀均匀度的作用。如图1，反应腔100的基本构造为，晶圆110位于上电极120和下电极130之间，电极之间为离子轰击140，晶圆110放在下电极130上被刻蚀，而聚焦圆环150设置在下电极130的背面。在刻蚀过程中晶圆110和聚焦圆环150的温度会升高，从而破环温度稳定性，不利于刻蚀过程，因此下电极中可设置有循环冷却液体用于降温，而导热胶的设置就是为了快速地使得聚焦圆环和下电极进行热交换，控制温度的稳定。然而现有技术中，导热胶的安装需要使用导热胶治具，而治具需要定期更换，因此不仅结构复杂麻烦而且效率低下。

发明内容

本实用新型的技术目的之一在于提供一种结构简单的聚焦圆环，其特征在于，在圆环下表面设置有至少一个凹槽，用以放置导热胶。

作为本实用新型的可选实施例，凹槽形状可根据相应导热胶的形状而定。

作为本实用新型的可选实施例，凹槽深度为0.2mm-0.5mm，宽度为16.4mm-16.8mm。

本实用新型的另一技术目的在于提供一种刻蚀反应腔，包括腔体，上下电极和聚焦圆环，所述聚焦圆环设置在所述下电极边缘，其特征在于：在所述聚焦圆环下表面设置有至少一个凹槽，用以放置导热胶。

本实用新型的有益效果是，由于聚焦圆环本身设置有凹槽，导热胶可直接放置在凹槽中，从而省去了专门的导热胶治具，节约了成本，而且，安装也变得非常简单快捷。

附图说明

图1为现有技术干法刻蚀反应腔示意图；

图2为本实用新型的聚焦圆环示意图；

图3为本实用新型带有导热胶后的聚焦圆环示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型作详细描述。但需要指出的是，以下实施例仅是作为对本实用新型的说明性而非限制性描述，因此任何基于这些具体实施例的其他变异，变型，改进，替换，延伸均应落入本实用新型的保护范围。

如图2所示，本实用新型所述的聚焦圆环150的下表面1510上设置有6个凹槽1520，每个凹槽宽度为16.4mm-16.8mm，深度为0.2mm-0.5mm。当然，凹槽的个数，宽度和深度可根据具体情况而定。图3是当导热胶已经安装进相应凹槽后的示意图，导热胶为1530。

在现有技术中，导热胶的安装需要有一个安装治具(治具上设置有导热胶凹槽)，即需要将导热胶安放在治具上，然后再把聚焦圆环放置在治具上，按压10分钟左右，去掉导热胶覆盖膜，使其可以充分地交换聚焦圆环和下电极之间的热量。而本实用新型由于圆环本身设置有导热胶凹槽，从而无需借助任何治具，也省去了上述繁琐的过程，整个安装过程只需要几分钟，大大节省了时间和人力。