[实用新型]带防基板翘起机构的基板加热装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示装置，尤其涉及具有光取向方式的取向膜的液晶显示装置的制造方法及其制造装置。

背景技术

液晶显示装置所使用的液晶显示面板，配置有TFT基板和对置基板，所述TFT基板中形成有呈矩阵状的具有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素，所述对置基板与TFT基板相对，在与TFT基板的像素电极对应的部位形成有彩色滤光器等，在TFT基板与对置基板之间夹持有液晶。并且，通过按像素控制基于液晶分子的光透过率来形成图像。

在液晶显示装置中，通过形成于TFT基板和对置基板上的取向膜来进行液晶分子的初始取向，通过对像素电极施加图像信号，由此利用形成于像素电极与对置电极之间电场使该液晶分子的初始取向的状态变化，从而控制透过液晶显示面板的光量。液晶分子的初始取向的朝向通过对取向膜进行摩擦处理或光取向处理来规定。

取向膜的摩擦处理具有由摩擦导致的取向膜的切屑所引起的制品或制造工序的污染、由静电发生等引起的布线之间的绝缘损坏的问题等。光取向方式可以减轻上述切屑的发生、静电发生的问题，但难以在取向膜形成所谓的预倾角。

另一方面，在液晶显示装置中视场角特性成为问题。视场角特性是指从正面观察画面时和从斜向观察画面时，辉度发生、或色度发生变化的现象。关于视场角特性，在通过水平方向的电场使液晶分子动作的IPS(In Plane Switching)方式具有优异的视场角特性。IPS中取向膜不需要所谓的预倾角，因此适于取向膜的光取向处理。

在“专利文献1”中记载了如下构成：通过对作为取向膜的聚酰胺酸薄膜照射偏光紫外线后进行加热，将聚酰胺酸转换为聚酰亚胺，由此形成具有取向各向异性的取向膜。在“专利文献2”中记载了如下构成：在光取向处理中，一边加热一边对取向膜照射偏光紫外线，由此对取向膜赋予取向各向异性。即，记载了如下构成：使加热处理的温度在偏光紫外线照射中分为初期、中期、后期地变化。通过使温度阶梯性地提高，从而抑制由于偏光照射而分离的分子链在再配置之前交联。

专利文献1：日本特开2003－255349号公报

专利文献2：日本特开2007－226097号公报

实用新型内容

图6是IPS方式的液晶显示装置的剖视图。存在各种IPS方式的液晶显示装置，图6是其中一例，本实用新型也可以适用于其他IPS方式的液晶显示装置。在图6中，在由玻璃形成的TFT基板100形成有兼作为扫描线的栅电极101，在其上形成有栅极绝缘膜102。在栅极绝缘膜102之上形成有半导体层103，在半导体层103之上形成有漏电极104及源电极105，由此形成了TFT。覆盖TFT地形成由SiN等构成的无机钝化膜106，在无机钝化膜106之上形成兼作为平坦膜的有机钝化膜107。

在有机钝化膜107之上，以平面固态的方式形成有由ITO形成的对置电极108。在对置电极108之上形成有层间绝缘膜109，在层间绝缘膜109之上形成有由透明电极形成的梳齿状的像素电极110。像素电极110经由通孔111与源电极105连接，接收图像信号。在像素电极110之上形成有取向膜113，取向膜113通过光取向而受到取向处理。

在图6中，在由玻璃形成的对置基板200上形成有黑矩阵202及彩色滤光器201，在其上形成有保护彩色滤光器的外覆(overcoat)膜203。在外覆膜203之上形成取向膜113，取向膜113通过光取向而受到取向处理。在TFT基板100与对置基板200之间夹持有液晶层300。

在图6的TFT基板100中，当对梳齿状的像素电极110施加基于图像信号的电压时，穿过梳齿与梳齿之间的狭缝112朝向对置电极108地产生电力线，通过使液晶分子301旋转，由此控制通过液晶层300的来自背光源的光，从而形成图像。液晶分子301的初始取向由取向膜113规定。图6的取向膜113的TFT基板100侧和对置基板200侧都被实施了光取向处理。

如后述所说明，光取向处理是通过对聚酰亚胺膜照射直线偏光了的紫外线从而对取向膜赋予单轴性。其后，进行加热，由此使低分子的分解物挥发，且促使所生成的低聚物的旋转而提高取向限制力。

该加热工艺以往使用远红外线方式、热风循环方式等的加热装置。但是，在这种基于以往技术的加热方式中，要使基板从室温即26℃上升到必需温度即240℃需要2分钟以上的时间。但是，在以往例中，照射直线偏光紫外线后的加热时间不够充分，需要进一步加热时间。