[实用新型]不透明盖子和黑色堆叠有效
申请号: | 201420496653.9 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN204440366U | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 松雪直人;D·J·韦伯 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044;G06F1/16 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 鲍进 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不透明 盖子 黑色 堆叠 | ||
1.一种用于电容性传感器的不透明盖子,其特征在于,所述盖子包括:
透明基板;及
布置成与所述透明基板相邻的黑色堆叠,其中所述黑色堆叠包括:
颜料堆叠,包括:
第一介电层;
第二介电层;
第一光吸收层,位于所述第一介电层和所述第二介电层之间,其中:
所述第一介电层具有第一折射率;
所述第二介电层具有与所述第一折射率不同的第二折射率;及
与多个第三介电层交错的多个第二光吸收层。
2.如权利要求1所述的不透明盖子,其特征在于,所述第一介电层和所述第二介电层每一个都是由选自包括以下的组中的一种材料形成的层:氧化硅、氮化硅和氧化铌。
3.如权利要求1所述的不透明盖子,其特征在于,所述黑色堆叠是具有至少1014Ωcm或更大的电阻率的堆叠。
4.如权利要求1所述的不透明盖子,其特征在于,所述黑色堆叠是具有至少3或更大的光密度的堆叠。
5.如权利要求1所述的不透明盖子,其特征在于,所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层每一个都是具有比阈值低的介电常数的层。
6.如权利要求5所述的不透明盖子,其特征在于,所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层每一个都是具有比50低的介电常数的层。
7.如权利要求1所述的不透明盖子,其特征在于,所述第一光吸收层和所述第二光吸收层每一个都是由选自包括以下的组中的一种材料形成的层:锡、氧化铜、氧化锌。
8.如权利要求7所述的不透明盖子,其特征在于,锡层具有等于或小于100nm的厚度以使得所述锡层不导电。
9.如权利要求8所述的不透明盖子,其特征在于,所述锡层具有大约5nm的厚度。
10.如权利要求1所述的不透明盖子,其特征在于,所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层每一个都具有10nm到100nm的厚度。
11.如权利要求1所述的不透明盖子,其特征在于,所述透明基板是由蓝宝石或玻璃形成的基板。
12.如权利要求1所述的不透明盖子,其特征在于,所述黑色堆叠具有1μm到2μm的厚度。
13.如权利要求1所述的不透明盖子,其特征在于,所述电容性传感器放置成与所述黑色堆叠相邻以使得从所述透明基板的顶部来看,所述传感器被所述黑色堆叠遮蔽。
14.一种形成在基板之上的黑色堆叠,其特征在于,包括:
在透明基板之上沉积的颜料堆叠,其中所述颜料堆叠包括被第一光吸收层与第二介电层隔开的第一介电层,所述第一介电层和所述第二介电层具有不同的折射率;
在所述颜料堆叠之上沉积的不导电光吸收堆叠;及
与所述光吸收堆叠相邻地放置的电容性传感器。
15.如权利要求14所述的黑色堆叠,其特征在于,所述不导电光吸收堆叠具有1μm到2μm的厚度。
16.如权利要求14所述的黑色堆叠,其特征在于,所述第一介电层和所述第二介电层每一个都是由选自包括以下的组中的一种材料形成的层:氧化硅、氮化硅和氧化铌。
17.如权利要求14所述的黑色堆叠,其特征在于,所述第一光吸收层是由选自包括以下的组中的一种材料形成的层:锡、氧化铜和氧化锌。
18.如权利要求17所述的黑色堆叠,其特征在于,锡层具有等于或小于100nm的厚度以使得所述锡层不导电。
19.如权利要求17所述的黑色堆叠,其特征在于,所述锡层具有大约5nm的厚度。
20.如权利要求14所述的黑色堆叠,其特征在于,所述不导电光吸收堆叠包括与第三介电层交错的多个第二光吸收层,所述第三介电层是具有低于阈值的介电常数的层。
21.如权利要求20所述的黑色堆叠,其特征在于,所述第二光 吸收层是由选自包括以下的组中的一种材料形成的层:锡、氧化铜和氧化锌。
22.如权利要求21所述的黑色堆叠,其特征在于,锡层具有等于或小于100nm的厚度以使得所述锡层不导电。
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