[实用新型]一种具有快速启动电路的欠压保护电路

说明书

技术领域

本实用新型属于电学技术领域，涉及一种具有快速启动电路的欠压保护电路。

背景技术

欠压保护也称低电压保护^[1,2]，是指集成电路中由于某种原因使得电源电压值降低到一定的极限值时，欠压保护电路能够检测到电源电压较低，将芯片关断并保持与电源的切断状态，待电源电压恢复到一定的大小时，芯片可恢复工作。

欠压保护电路是集成电路设计中必不可少的模块，是保证系统在工作环境异常情况下能够保持系统稳定的基础。传统的欠压保护电路^[3]如图1所示，该欠压保护电路利用电阻对电源电压进行分压，将分压后得到的电压V_O与参考电压V_REF通过迟滞比较器进行比较，从而检测电源电压是否欠压。因此，欠压保护电路需要外部参考电压，电路的独立性较差；同时，引入迟滞比较器和电阻分压电路，使得电路结构变得复杂，电路启动速度较低，也增大了电路的面积。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有快速启动电路的欠压保护电路，解决了传统欠压保护电路启动速度较低的问题。

本实用新型所采用的技术方案是外部电压分别与电阻R4一端、PMOS管MP1源级、PMOS管MP2源级、电阻R7一端、PMOS管MP3源级和PMOS管MP4源级共同连接在一起，电阻R4另一端连接电阻R3一端，PMOS管MP1的栅极、PMOS管MP2的栅极、PMOS管MP1的漏极、三极管Q3的集电极、三极管Q2的集电极、PMOS管MP3的栅极共同连接在一起，PMOS管MP2的漏极、三极管Q2的集电极、PMOS管MP4的栅极共同连接在一起，电阻R7的另一端、电阻R6的一端、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极共同连接在一起，PMOS管MP3的漏极、NMOS管MN1的源级、NMOS管MN1的栅极、NMOS管MN2的栅极共同连接在一起，PMOS管MP4的漏极、NMOS管MN3的栅极、NMOS管MN2的源级、反相器输出Y共同连接在一起，电阻R3的另一端、三极管Q3的基极、三极管Q4的集电极、三极管Q4的基极共同连接在一起，三极管Q4的发射极、电阻R2的一端、电阻R5的一端、NMOS管MN3的漏极、NMOS管MN1的漏极、NMOS管MN2的漏极共同连接在一起并接地，电阻R2的另一端、电阻R1的一端、三极管Q2的发射极共同连接在一起，电阻R1的另一端、三极管Q3的发射极、三极管Q1的发射极共同连接在一起，电阻R5的另一端、电阻R6的一端、NMOS管MN3的源级共同连接在一起。

本实用新型的有益效果是提高电路启动速度的单元，减少了电路的启动时间。

附图说明

图1是本实用新型传统欠压保护电路示意图；

图2是本实用新型欠压保护电路示意图；

图3是本实用新型仿真结果欠压保护电路输出曲线示意图；

图4是本实用新型仿真结果欠压保护电路启动时间曲线示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。本实用新型电路如图2所示，本实用新型提出一种新型欠压保护电路，电路不需要使用外部参考电压^[4]和迟滞比较器^[5]，利用一种类似于带隙基准PTAT电流源的电路结构完成对电源电压的检测和比较；同时，利用负反馈实现了电路对电压检测的迟滞功能；最后，电路设计了提高电路启动速度的单元模块电路，确保了欠压保护电路在电源电压恢复正常后电路能够迅速正常工作。

核心电路工作原理：在图2所示的新型欠压保护电路中，三极管Q1、Q2和电阻R1、R2构成类似于带隙基准电压源的欠压保护电路核心部分。三极管Q1的面积为Q2的n倍，三极管Q1和Q2的基极电位为电源电压经过分压后得到的电压V_O1。

VO1=R6R6+R7×VDD]]>