[实用新型]半导体器件阵列式倒片封装机构

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路封装、光电器件封装领域，具体是涉及一种半导体器件阵列式倒片封装机构。

背景技术

倒片封装(Flip Chip Package)技术为近几年来最被封装业广泛讨论及看好的技术焦点，由于未来电子产品强调轻薄短小、高速、高脚数等特性，以导线架为基础的传统封装型态渐不适用，应用范围也将仅限于低阶的产品。由于使用倒片封装技术可大幅缩小IC封装后的体积、减少信号延迟、避免噪声的产生以及更适用于高脚数IC的封装，因此在高阶产品的应用上，倒装片技术渐渐地取代传统的打线接合(Wire Bonding)技术，而成为IC封装技术中的未来发展重点。

同样，在光电通信领域，光电转换器件与基板通过倒片封装，也同样能够起到在集成电路器件倒片封装中的所有好处，能改善信息高速传输性能。

但现有倒片封装采用的都是器件封装，器件封装通常要经过基板定位、基板预热、器件对准、器件定位、键合等流程，生产效率比较低。且器件封装焊接时所需的设备为昂贵的高精密设备，器件封装单位生产成本较高。

发明内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提出一种半导体器件阵列式倒片封装机构，借助该封装机构，能够经过一次焊接流程完成批量半导体器件的倒片封装，从而大幅度降低焊接所需占用的设备机时，进而达到减少封装流程，降低生产成本的目的。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种半导体器件阵列式倒片封装机构，包括半导体器件阵列和一基板阵列，所述半导体器件阵列包括一硬质载板、敷设于所述硬质载板的正面上的一层导电不干胶和呈陈列式排布于所述导电不干胶上的多个半导体器件；所述导电不干胶的厚度小于0.1毫米，短期耐温性大于200℃；所述基板阵列包括排布成阵列式并与多个所述半导体器件一一对应的多个基板单元。

作为本实用新型的进一步改进，所述硬质载板的材料为石英或玻璃或硅或金属。

作为本实用新型的进一步改进，所述硬质载板的正面和背面的平整度均小于3微米，粗糙度均小于1微米，所述硬质载板的厚度小于3毫米。

作为本实用新型的进一步改进，所述硬质载板的正面的形状和尺寸与所述基板阵列的正面的形状和尺寸相同。

作为本实用新型的进一步改进，所述硬质载板与所述基板阵列的形状均为圆形。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供一种半导体器件阵列式倒片封装机构，该封装机构通过将需要与基板单元焊接的多个半导体器件呈阵列式排布于硬质载板的导电不干胶上，形成一半导体器件阵列，并使该半导体器件阵列上的多个半导体器件与呈阵列式布置的基板阵列上的多个基板单元一一镜像对应，这样，在焊接封装时，能够经过一次焊接流程完成批量半导体器件的倒片封装，从而大幅度降低焊接所需占用的设备机时，进而达到减少封装流程，降低生产成本的目的。其中，导电不干胶的厚度小于0.1毫米，用以保证焊接过程中半导体器件的位置保持稳定；短期耐温性大于200℃，用以满足半导体器件与其封装的基板阵列的焊接工艺所需。此外，导电不干胶还具有可移除性，在半导体器件与基板阵列焊接完成后，需分离半导体器件与硬质载板。较佳的，硬质载板的厚度小于3毫米，以方便真空吸附。作为一种优选实施方式，硬质载板与基板阵列的形状和尺寸相同，但不限于形状和尺寸相同，具体实施时，硬质载板的正面和背面的尺寸与需配合的基板阵列正面尺寸相近即可。作为一种优选实施方式硬质载板和基板阵列的形状均为圆形，但并不限于圆形，也可以为其他诸如方形和扇形等。

附图说明

图1为本实用新型中半导体器件阵列的结构示意图；

图2为图1中A处放大结构示意图；

图3为本实用新型中基板阵列的结构示意图；

图4为图3中B处放大结构示意图；

图5为本实用新型中半导体器件阵列与基板阵列焊接后结构示意图；

图6为图5中C处放大结构示意图；

图7为本实用新型中单个半导体器件与对应的基板单元焊接后的封装单体的结构示意图。

结合附图，作以下说明：

1——半导体器件阵列  11——硬质载板

12——导电不干胶     13——半导体器件

2——基板阵列        21——基板单元

具体实施方式