[实用新型]多晶硅还原炉底盘装置有效
| 申请号： | 201420491011.X | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN204224265U | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 那日萨;茅陆荣;周劲松;吴海龙;沈刚 | 申请（专利权）人： | 上海森松新能源设备有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 201323 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 还原 底盘 装置 | ||
1.一种多晶硅还原炉底盘装置，包括底盘法兰、上底板、下底板，其特征在于：所述多晶硅还原炉底盘装置还包含：底盘冷却水出水管、N个底盘冷却水进水管，底盘导流板；
其中，所述底盘法兰、上底板与下底板之间形成密闭腔体，所述底盘导流板设于所述密闭腔体内，将所述密闭腔体分成N个流道，每个所述流道分别连通一个所述底盘冷却水进水管，并且，每个所述流道从连通的所述底盘冷却水进水管处开始向内环绕至底盘冷却水出水管处；所述N为大于3的自然数。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘装置，其特征在于：所述底盘导流板下端面焊接于所述下底板上，上端面与所述上底板之间留有间隙。
3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘装置，其特征在于：所述底盘冷却水出水管位于所述下底板的中心。
4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘装置，其特征在于：所述流道内设置有贯穿于上、下底板的进气管、出气管与电极座。
5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉底盘装置，其特征在于：所述出气管个数为N个，所述出气管与所述底盘冷却水进水管一一对应，且所述出气管分别位于所述底盘冷却水进水管内，两者之间留有间隙。
6.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉底盘装置，其特征在于：所述进气管个数为X个，所述电极座的个数为Y个，且每条所述流道内设置X/N个进气管和Y/N个电极座，所述X、Y为能被N整除的自然数。
7.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘装置，其特征在于：任意两个所述流道的体积之差小于预设门限。
8.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘装置，其特征在于：N个所述流道的体积相等。
9.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘装置，其特征在于：所述底盘冷却水进水管上设有阀门。
10.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘装置，其特征在于：所述底盘导流板由N个圆弧形导流子板组成。
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