[实用新型]一种双面电泳架装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及双面GPP保护晶体管芯片生产设备，具体是一种改造后的电泳用双面电泳架装置。

背景技术

目前，半导体行业内生产双面GPP保护晶体管（二极管、放电管等）芯片两面都需要进行玻璃钝化保护，双面电泳工艺通常采用先电泳一面，再电泳另一面的工艺。现有技术存在问题：1、两次电泳造成两面的玻璃层厚度不一致，2、在第二次电泳后，发现第一次电泳面外围的部分区域玻璃脱落，产生参数不良、良率低及可靠性差等问题。

发明内容

本实用新型的目的就是为克服现有技术的不足，提供一种双面电泳架装置。通过使用重新设计的双面电泳架装置进行双面一次电泳工艺，可以提高产品的良率及可靠性。

本实用新型采取的技术方案是：一种双面电泳架装置，其特征在于：包括横梁、负极板、正极环、托板、定位板、插槽和侧板，其中横梁的两端水平固定在两侧板的上部内侧，两定位板分别固定在两侧板的上部外侧，用于与电泳设备电源连接的插槽固定在其中的一个侧板的上端，托板的两端水平固定在两侧板的下部内侧，数个负极板和正极环依次交替固定在托板上。

本实用新型所产生的有益效果是：使用双面电泳架，硅片两面同时电泳一致性好，避免两次单面电泳造成的硅片两面玻璃层厚度不一致的问题，两面同时电泳不易损坏，由此提高了产品良率及可靠性。

附图说明

图1是本实用新型整体结构示意图；

图2是图1中正极环结构侧视局部放大图；

图3是图1中负极板结构平面示意图；

图4是侧托板结构局部放大示意图；

图5是中托板结构局部放大示意图；

图6是两侧侧托板和中托板相对位置局部放大示意图。

具体实施方式

以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明：

参照图1，一种双面电泳架装置包括横梁1、负极板2、正极环3、托板4、定位板5、插槽6和侧板7，其中横梁1的两端水平固定在两侧板7的上部内侧，两定位板5分别固定在两侧板7的上部外侧，用于与电泳设备电源连接的插槽6固定在其中的一个侧板7的上端，托板4的两端水平固定在两侧板7的下部内侧，数个负极板2和正极环3依次交替固定在托板4上。

参照图2和图3，固定在托板4上的负极板2包括加工为一体的负极板体2A和导线连接头2B；固定在托板4上的正极环3包括加工为一体的外环3A和内环3B。

参照图4、图5和图6，本实施例的托板4为分体结构，包括两侧的侧托板4A和中托板4B，两侧的侧托板4A上分别依次交替设有数个负极板槽4A1和正极环槽4A2，同时在两侧的侧托板4A两端的侧面设有安装孔4A3，中托板4B上依次交替对应设有数个负极板槽4B1和Y型触点4B2，同时在中托板4B一端的侧面设有导线槽4B3，在中托板4B两端的侧面设有安装孔4B4，中托板4B的两端水平固定在两侧板7的下部内侧，两侧的侧托板4A对称位于中托板4B左右上方，且向内侧倾斜并留有间距，分别固定在两侧板7的下部内侧，即两侧的侧托板4A和中托板4B组成弧形。

参照图4和图6，两侧的侧托板4A上的正极环槽4A2设于加固和加高部分，加固和加高部分的高度为2±0.3mm，宽度为10±0.3mm。因为正极环反复插拔，因此对正极环槽进行加高加固。

本实施例设计尺寸：以4英寸硅片使用双面电泳架的设计为例：中托板4B与两侧托板4A间距为40±0.3mm，两侧托板4A向内侧倾斜角度为45±2°，负极板体2A圆形部分直径为105±0.3mm，厚度为1±0.05mm，导线接线头2B宽度为15±0.3mm，长度为±0.3mm，负极板槽4A1宽度为1.1±0.05mm mm，正极环槽4A2宽度为2.1±0.05mm，外环外圆直径为105±0.3mm，环宽（即外表面半径与内表面半径之差）为2±0.05mm，厚度为1±0.05mm，内环内圆直径为98±0.3mm，厚度为0.8±0.05mm，负极板2与正极环3的间距为30±5mm。

双面电泳架装置根据被加工硅片的尺寸进行设计，其中正极环的内环外侧的圆直径比硅片直径略大，内侧的圆的直径比硅片直径略小，内环与外环的厚度差小于硅片厚度，保证硅片与正极环接触良好，同时保护硅片，负极板外径与正极环外径相等。托板4结构尺寸则根据负极板和正极环的尺寸进行设计。