[实用新型]一种大功率低损耗浪涌抑制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种浪涌抑制电路，尤其涉及一种大功率低损耗浪涌抑制电路。

背景技术

现有设计生产的功率超过1KW的AC/DC开关电源中，对于开机浪涌电流的抑制电路通常采用输入与负载串入固定电阻，在电阻两端并联继电器如图1，电容E1充电至一定电压后控制继电器把电阻短路，缺点是在开关过程中伴随着几个到几十个触点回跳和抖动过程，单个抖跳时间可达几十微妙至几毫秒，因此回引起被控电源的误动作。控制电路(control circuit)结构复杂，不仅需要单独的辅助电源供电，而且需要电压采样、延时等功能。大功率继电器使用寿命短、体积庞大且占用较多空间。机械式继电器的抗振动量级也无法满足振动强度大的平台如机载、弹载、舰载等平台。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种大功率低损耗浪涌抑制电路，以解决现有浪涌抑制电路使用寿命短、结构复杂且体积大的缺点。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种大功率低损耗浪涌抑制电路，包括整流模块、限流模块、控制模块和滤波电容；限流模块串联于整流模块的负极输出端与滤波电容的负极性端之间；滤波电容的正极性端连接至整流模块的正极输出端。

限流模块包括晶体管，晶体管的源极与漏极之间设置有第二电阻；晶体管的源极连接至整流模块的负极性端；晶体管的漏极连接至滤波电容的负极输出端。

控制模块包括电容、稳压管、第一电阻和第三电阻；第一电阻的一端与晶体管的栅极连接；电容、稳压管、第三电阻分别并联于第一电阻的另一端和晶体管的源极之间；第一电阻的另一端与滤波电容的正极性端之间设置有若干依次串联连接的电阻。

进一步地，整流模块为全桥整流电路。

进一步地，若干依次串联连接的电阻包括依次串联连接的第四电阻、第五电阻和第六电阻。

进一步地，晶体管为N-MOSFET。

本实用型新有益效果为：本实用新型利用N-MOSFET替代现有浪涌抑制电路中的继电器，其开关寿命远大于机械式的继电器开关；利用电阻电容和稳压二极管代替现有浪涌抑制电路中结构复杂、体积大的控制电路，具有控制方式简单、体积较小的特点。

附图说明

图1为现有开机浪涌电流抑制电路的电路图；

图2为本实用新型最佳实施例的电路图；

图3为本实用新型另一实施例的电路图。

具体实施方式

下面对本实用新型的具体实施方式进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本实用新型，但应该清楚，本实用新型不限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本实用新型的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本实用新型构思的发明创造均在保护之列。

一种大功率低损耗浪涌抑制电路，包括整流模块、限流模块、控制模块和滤波电容E1；其中，整流模块为全桥整流电路。限流模块串联于整流模块的负极输出端与滤波电容E1的负极性端之间；滤波电容E1的正极性端连接至整流模块的正极输出端。

限流模块包括晶体管Q1，晶体管Q1的源极与漏极之间设置有第二电阻R2；晶体管Q1的源极连接至整流模块的负极性端；晶体管Q1的漏极连接至滤波电容E1的负极输出端。

控制模块包括电容C1、稳压管D1、第一电阻R1和第三电阻R3；第一电阻R1的一端与晶体管Q1的栅极连接；电容C1、稳压管D1、第三电阻R3分别并联于第一电阻R1的另一端和晶体管Q1的源极之间；第一电阻R1的另一端与滤波电容E1的正极性端之间设置有若干依次串联连接的电阻。

在本实施例中，第一电阻R1的另一端与滤波电容E1的正极性端之间设置的电阻为一次串联连接的第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6。显然地，此处依次串联连接的电阻个数是可变的。

此外，在本实施里中采用的晶体管Q1为N-MOSFET。

晶体管Q1为电压型器件，当其栅源电压达到其阈值电压时，晶体管Q1完全开通，此时导通内阻Ron很小，其损耗功率公式如为：P＝I|I|Ron,其中I为电源正常工作时的额定电流。所以由此可见，此时在晶体管Q1上的功率损耗很小。