[实用新型]一种单层膜多点触控的触摸屏有效
申请号: | 201420464767.5 | 申请日: | 2014-08-15 |
公开(公告)号: | CN204155231U | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 吴国峰 | 申请(专利权)人: | 无锡宇宁光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬;徐鹏飞 |
地址: | 214174 江苏省无锡市惠*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单层 多点 触摸屏 | ||
技术领域
本实用新型涉及触摸屏制造技术,尤其涉及一种单层膜多点触控的触摸屏。
背景技术
目前行业内传统膜结构的多点触控方案是采用盖板玻璃+双层膜结构的,分别在两层pet膜上进行蚀刻、银浆印刷,再将两层pet膜用光学胶粘贴在一起,组成我们所需的双层膜结构的功能片。传统的方案需要在两层膜上分别进行蚀刻和印刷,存在厚度大和成本高的缺点,在一些低成本但是需要多点触控的触摸屏上难以量产。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种单层膜多点触控的触摸屏,其具有结构简单、厚度小和成本低的特点。以解决现有技术中多点触控的触摸屏存在的问题。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种单层膜多点触控的触摸屏,其包括玻璃盖板和PET膜,其中,所述玻璃盖板的一面上蚀刻有氧化铟锡导电线路,且所述玻璃盖板上蚀刻有氧化铟锡导电线路的一面通过光学胶粘接于PET膜的一面,所述PET膜的另一面上蚀刻有氧化铟锡导电线路。
特别地,所述玻璃盖板的厚度为0.55~1.0㎜。
特别地,所述PET膜的厚度为50微米或125微米的任一种。
特别地,所述光学胶的厚度为125微米。
特别地,所述氧化铟锡导电线路的厚度为190~210纳米。
本实用新型的有益效果为,与现有技术相比所述单层膜多点触控的触摸屏在钢化玻璃盖板与单层膜结构的功能片上同时印刷、蚀刻线路,然后将钢化玻璃与单层膜进行贴合,替代现有的双层膜结构实现多点触摸的功能片,可以降低触摸屏的总厚度,同时减少工艺制程以起到降低生产成本的作用。
附图说明
图1是本实用新型具体实施方式1提供的单层膜多点触控的触摸屏的结构示意图。
图中:
1、钢化玻璃盖板;2、PET膜;3、氧化铟锡导电线路;4、光学胶。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
请参阅图1所示,图1是本实用新型具体实施方式1提供的单层膜多点触控的触摸屏的结构示意图。
本实施例中,一种单层膜多点触控的触摸屏包括钢化玻璃盖板1和PET膜2,所述钢化玻璃盖板1的厚度为0.7㎜,所述PET膜2的厚度为125微米,所述钢化玻璃盖板1的一面上蚀刻有氧化铟锡导电线路3,且所述钢化玻璃盖板1上蚀刻有氧化铟锡导电线路3的一面通过光学胶4粘接于PET膜2的一面,所述PET膜2的另一面上蚀刻有氧化铟锡导电线路3。
所述光学胶4的厚度为125微米,所述氧化铟锡导电线路3的厚度为190纳米。
上述单层膜多点触控的触摸屏生产方法,其包括以下步骤:
1)在单层pet膜上采用磁控溅射的方式镀上氧化铟锡材料层,具体方法是:是将pet膜作为衬底,铟锡作为靶材,然后通入一定量的氧气,在高温高电压的条件下,氧离子加速轰击靶材,与铟锡结合为铟锡氧化物,沉积在衬底上得到氧化铟锡材料层,然后将镀好氧化铟锡材料层的pet膜裁切成丝印机台需要的尺寸;
2)在镀上氧化铟锡材料层的pet膜上采用湿法蚀刻工艺蚀刻出氧化铟锡导电线路,具体方法是:先将pet膜上镀好氧化铟锡材料层的一面丝印耐酸保护层,然后放入硝酸与盐酸溶液中,反应一段时间后,蚀刻掉不需要的膜层,就得到我们所需的氧化铟锡导电线路;
3)在单片钢化玻璃盖板的一面采用磁控溅射的方式镀上氧化铟锡材料层,并将钢化玻璃盖板镀好氧化铟锡材料层的一面上采用湿法蚀刻工艺蚀刻出需要的氧化铟锡导电线路,具体方法是:先将钢化玻璃盖板的一面丝印好油墨,得到盖板的可视区域,然后将钢化玻璃盖板作为衬底,铟锡作为靶材,然后通入一定量的氧气,在高温高电压的条件下,氧离子加速轰击靶材,与铟锡结合为铟锡氧化物,沉积在衬底上得到氧化铟锡材料层,最后将钢化玻璃盖板上镀好氧化铟锡材料层的一面丝印耐酸保护层,然后放入硝酸与盐酸溶液中,反应一段时间后,蚀刻掉不需要的膜层,就得到我们所需的氧化铟锡导电线路;
4)将pet膜上蚀刻有氧化铟锡导电线路的一面与柔性电路板进行绑定,另一面通过光学胶与钢化玻璃盖板上蚀刻有氧化铟锡导电线路的一面进行贴合,即得到多点触控触摸屏。
上述单层膜多点触控的触摸屏及其生产方法不仅能够降低多点触控触摸屏的厚度;而且减少工艺制程,降低了生产成本。
以上实施例只是阐述了本实用新型的基本原理和特性,本实用新型不受上述事例限制,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还有各种变化和改变,这些变化和改变都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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