[实用新型]一种MOSFET管防反接电路

说明书

技术领域

本实用新型为一种MOSFET管防反接电路，具体涉及为基本电子电路领域。

背景技术

电子产品实际应用中，电源正负极接反时，会产生极大的电流，使后级负载元器件全部烧毁，所以需要防反接保护电路。传统的保护电路使用二极管，但是二极管存在压降太大，功率损耗严重的问题，所以现在需要一种新的压降小、功耗小的防反接电路。

发明内容

本发明克服了使用二极管防反时带来压降以及功率损耗较大的问题，这种防反接保护电路很好的利用了MOSFET的导通和关断能力，防止电源反接的给负载带来损害。

所述的MOS管为P沟道MOSFET,漏D极直接与电源输入端相连，源S极直接与电源输出端相连，栅G极直接与两颗分压电阻的公共端相连，分压电阻一端接地，一端接输出。

图1为MOSFET防反接电路原理图，P沟道的MOSFET， R1和R2为两个分压电阻。当电源正常接入时，MOS管的GS间电压为负，MOS管导通，电路正常工作。而当电源反接时，MOS管的GS间电压为正，此时MOS关断，从而避免了后级负载烧坏。

而且MOSFET导通电阻相当小，属于毫欧级，所以其压降和功耗也会较二极管小很多。

该电路设计简单，成本较低，功率损耗较小，同时配置灵活，可以根据实际应用需要选择MOSFET管以及分压电阻。

附图说明

图1是MOSFET防反接电路的原理图。

具体实施方式

下面结合附图1详细说明本实用新型的具体实施方式。

当电源正常接入时，MOS管的GS间电压为负，MOS管导通，电路正常工作。而当电源反接时，MOS管的GS间电压为正，此时MOS关断，从而避免了后级负载烧坏。