[实用新型]一种硅片的裂片装置有效

专利信息
申请号: 201420448840.X 申请日: 2014-08-11
公开(公告)号: CN204029778U 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 王天峰 申请(专利权)人: 山东芯诺电子科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;B28D5/00
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 肖健
地址: 272100 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅片 裂片 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种硅片的裂片装置。

背景技术

在半导体芯片加工工艺中,广泛应用氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入和金属化等几个主要步骤,而在半导体硅片进行激光划片以后就需要进行裂片。也就是将硅片裂成小晶粒。

目前裂片主要是依靠人工用圆柱形的裂片笔进行滚压,然后再进行进一步的检查和裂片。裂片的效率低,较难进行大规模生产;同时,由于人工在进行滚压过程中,用力的大小不好掌握,使得对硅片的冲击力无法调整,导致晶粒无法裂开或者分割后的晶粒发生崩裂损伤等情况,晶粒的良品率低。

发明内容

为解决以上技术上的不足,本实用新型提供了一种裂片效率高的硅片的裂片装置。

本实用新型是通过以下措施实现的:

本实用新型的一种硅片的裂片装置,包括底座和支撑筒,所述支撑筒为

底部开口且顶部封闭的圆柱形筒体,支撑筒顶部中心竖直穿有可轴向转动的中心轴,所述中心轴顶部设置有把手,中心轴底部通过弹片连接有辊子支架,辊子支架上设置有橡胶辊子;所述底座上设置有可扣在支撑筒底部开口内的圆形凸台。

上述圆形凸台外侧设置有限位块,所述支撑筒底部侧壁上设置有与限位块相配合的缺口。

本实用新型的有益效果是:划片后的硅片在橡胶辊子的碾压下,经划片后产生的划痕发生分裂,得到晶粒;操作简单,使得裂片的效率高,同

时,能够提高晶粒的良品率。

附图说明

图1 为本实用新型的支撑筒结构示意图。

图2为本实用新型的底座结构示意图。

其中:1支撑筒,2中心轴,3弹片,4辊子支架,5橡胶辊子,6把手,7缺口,8底座,9限位块,10圆形凸台。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步详细的描述:

如图1、2所示,本实用新型的一种硅片的裂片装置,包括底座8和支

撑筒,支撑筒1为底部开口且顶部封闭的圆柱形筒体,支撑筒1顶部中心竖直穿有可轴向转动的中心轴2,中心轴2顶部设置有把手6,中心轴2底部通过弹片3连接有辊子支架4,辊子支架4上设置有橡胶辊子5;底座8上设置有可扣在支撑筒1底部开口内的圆形凸台10。圆形凸台10外侧设置有限位块9,所述支撑筒1底部侧壁上设置有与限位块9相配合的缺口7。

使用时,将激光划片后的硅片放置在底座8的圆形凸台10内,将支撑筒1套在圆形凸台10上,其缺口7卡在限位块9上,防止支撑筒1转动。此时橡胶辊子5在弹片3的作用下挤压在硅片上,操作人员用手转动把手6,橡胶辊子5旋转并碾压硅片,从而使硅片经划片后产生的划痕发生分裂得到晶粒。

以上所述仅是本专利的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本专利技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本专利的保护范围。

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